د ساحې اغیزې ټرانزیسټر لنډیز په توګهMOSFETدوه اصلي ډولونه شتون لري: د جنکشن فیلډ تاثیر ټیوبونه او د فلزي آکسایډ سیمیکمډکټر فیلډ تاثیر ټیوبونه. MOSFET د یو پولر ټرانزیسټر په توګه هم پیژندل کیږي چې ډیری کیریرونه په چلونکي کې دخیل دي. دا د ولتاژ کنټرول سیمی کنډکټر وسایل دي. د دې د لوړ ان پټ مقاومت ، ټیټ شور ، ټیټ بریښنا مصرف او نورو ځانګړتیاو له امله ، دا د دوه قطبي ټرانزیسټرونو او بریښنا ټرانزیسټرونو قوي سیالي کوي.
I. د MOSFET اصلي پیرامیټونه
1، د DC پیرامیټونه
د سیتریشن ډرین جریان د ډرین جریان په توګه تعریف کیدی شي کله چې د دروازې او سرچینې ترمینځ ولتاژ صفر سره مساوي وي او د ډرین او سرچینې ترمینځ ولتاژ د پنچ آف ولټاژ څخه ډیر وي.
د پنچ آف ولټاژ UP: UGS اړتیا لري چې ID یو کوچني کرنټ ته راټیټ کړي کله چې UDS ډاډه وي؛
د ټرن آن ولټاژ UT: UGS ته اړتیا ده چې ID یو مشخص ارزښت ته راوړي کله چې UDS ډاډه وي.
2، AC پیرامیټونه
د ټیټ فریکونسۍ ټرانس کنډکټانس gm: د ډرین جریان باندې د دروازې او سرچینې ولتاژ کنټرول اغیز تشریح کوي.
د بین قطب ظرفیت: د MOSFET د دریو الیکټروډونو تر مینځ ظرفیت ، څومره چې ارزښت کوچنی وي ، هومره ښه فعالیت کوي.
3، پارامترونه محدود کړئ
ډرین، د سرچینې ماتولو ولتاژ: کله چې د ډرین جریان په چټکۍ سره لوړ شي، دا به د UDS په وخت کې د واورو تودوخې تولید کړي.
د دروازې ماتولو ولتاژ: د جنکشن فیلډ تاثیر ټیوب نورمال عملیات ، دروازه او سرچینه د PN جنکشن ترمینځ په ریورس تعصب حالت کې ، اوسنی د خرابیدو تولید لپاره خورا لوی دی.
II. د ځانګړنوMOSFETs
MOSFET د امپلیفیکیشن فعالیت لري او کولی شي یو پراخ شوی سرکټ جوړ کړي. د ټرایډ سره پرتله کول، دا لاندې ځانګړتیاوې لري.
(1) MOSFET د ولتاژ کنټرول وسیله ده، او احتمالي د UGS لخوا کنټرول کیږي؛
(2) د MOSFET په ننوت کې اوسنی خورا کوچنی دی، نو د دې د ننوتلو مقاومت خورا لوړ دی؛
(3) د تودوخې ثبات ښه دی ځکه چې دا د چلولو لپاره ډیری کیریرونه کاروي؛
(4) د دې امپلیفیکیشن سرکټ د ولتاژ امپلیفیکیشن کوفیشیټ د ټرایډ په پرتله کوچنی دی؛
(5) دا د وړانګو په وړاندې ډیر مقاومت لري.
دریم،MOSFET او د ټرانزیسټر پرتله کول
(1) د MOSFET سرچینه، دروازه، د ډنډ او ټرایډ سرچینه، بیس، سیټ پوائنټ قطب د ورته رول سره مطابقت لري.
(2) MOSFET د ولتاژ کنټرول اوسنی وسیله ده، د امپلیفیکیشن کوفیینټ کوچنی دی، د پراخولو وړتیا کمزورې ده؛ triode د اوسني کنټرول ولتاژ وسیله ده، د پراخولو وړتیا قوي ده.
(3) د MOSFET دروازه اساسا اوسني نه اخلي؛ او triode کار کوي، بیس به یو ټاکلی جریان جذب کړي. له همدې امله، د MOSFET دروازې ان پټ مقاومت د ټرایډ ان پټ مقاومت څخه لوړ دی.
(4) د MOSFET چلونکي پروسه د پولیټرون ګډون لري، او ټرایډ د دوه ډوله کیریرونو ګډون لري، پولیټرون او اولیګوټرون، او د اولیګوټرون غلظت د تودوخې، وړانګو او نورو فکتورونو لخوا خورا اغیزمن کیږي، له همدې امله MOSFET. د ټرانزیسټر په پرتله د تودوخې ښه ثبات او د وړانګو مقاومت لري. MOSFET باید غوره شي کله چې د چاپیریال شرایط ډیر بدلون ومومي.
(5) کله چې MOSFET د سرچینې فلز او سبسټریټ سره وصل شي ، سرچینه او ډرین تبادله کیدی شي او ځانګړتیاوې یې ډیر نه بدلیږي ، پداسې حال کې چې کله د ټرانزیسټر راټولونکی او ایمیټر تبادله کیږي ، ځانګړتیاوې توپیر لري او د β ارزښت کم شوی دی
(6) د MOSFET شور اندازه کوچنۍ ده.
(7) MOSFET او ټرایډ د مختلف امپلیفیر سرکیټونو او سویچ کولو سرکیټونو څخه جوړ کیدی شي ، مګر پخوانی لږ بریښنا مصرفوي ، لوړ حرارتي ثبات ، د عرضې ولتاژ پراخه لړۍ ، نو دا په پراخه کچه په لوی پیمانه او الټرا لوی کې کارول کیږي. پیمانه مدغم سرکیټونه
(8) د ټرایډ آن مقاومت لوی دی، او د MOSFET آن مقاومت کوچنی دی، نو MOSFETs عموما د لوړ موثریت سره د سویچ په توګه کارول کیږي.
د پوسټ وخت: می-16-2024
