WSM340N10G N-چینل 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

محصولات

WSM340N10G N-چینل 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

لنډ تفصیل:


  • د ماډل شمیره:WSM340N10G
  • BVDSS:100V
  • RDSON:1.6mΩ
  • پېژندنه:340A
  • چینل:N-چینل
  • بسته:TOLL-8L
  • د محصول لنډیز:د WSM340N10G MOSFET ولتاژ 100V دی، اوسنی 340A دی، مقاومت 1.6mΩ دی، چینل N-چینل دی، او کڅوړه TOLL-8L ده.
  • غوښتنلیکونه:طبي تجهیزات، ډرون، د PD بریښنا تجهیزات، د LED بریښنا تجهیزات، صنعتي تجهیزات، او نور.
  • د محصول تفصیل

    غوښتنلیک

    د محصول ټګ

    عمومي توضیحات

    WSM340N10G د خورا لوړ حجرو کثافت سره د لوړ فعالیت خندق N-Ch MOSFET دی ، کوم چې د ډیری ترکیب بکس کنورټر غوښتنلیکونو لپاره عالي RDSON او د دروازې چارج چمتو کوي. WSM340N10G د RoHS او شنه محصول اړتیا پوره کوي، 100٪ EAS د بشپړ فعالیت اعتبار سره تایید شوی.

    ځانګړتیاوې

    پرمختللي لوړ سیل کثافت خندق ټیکنالوژي، د سوپر ټیټ ګیټ چارج، د CdV/dt اغیزې کمښت، 100٪ EAS تضمین، شنه وسیله شتون لري.

    غوښتنلیکونه

    همغږي سمون، DC/DC کنورټر، د بار سویچ، طبي تجهیزات، ډرون، د PD بریښنا رسولو، د LED بریښنا رسولو، صنعتي تجهیزاتو، او نور.

    مهم پارامترونه

    مطلق اعظمي درجه بندي

    سمبول پیرامیټر درجه بندي واحدونه
    VDS د وچولو سرچینې ولتاژ 100 V
    VGS د دروازې سرچینې ولتاژ ±20 V
    ID@TC=25℃ پرله پسې ډنډ اوسني، VGS @ 10V ۳۴۰ A
    ID@TC=100℃ پرله پسې ډنډ اوسني، VGS @ 10V ۲۳۰ A
    IDM د نبض شوي اوبو جریان..TC=25°C ۱۱۵۰ A
    EAS د واورې انرژی، واحد نبض، L=0.5mH ۱۸۰۰ mJ
    IAS د واورې توپان اوسنۍ، واحد نبض، L=0.5mH ۱۲۰ A
    PD@TC=25℃ د بریښنا ټوله ضایع کول ۳۷۵ W
    PD@TC=100℃ د بریښنا ټوله ضایع کول ۱۸۷ W
    TSTG د ذخیره کولو د حرارت درجه -55 تر 175 پورې
    TJ عملیاتي جنکشن د حرارت درجه ۱۷۵

    بریښنایی ځانګړتیاوې (TJ = 25℃، پرته لدې چې بل ډول یادونه وشي)

    سمبول پیرامیټر شرایط من ټایپ. مکس واحد
    BVDSS د وچولو سرچینې ماتول ولتاژ VGS=0V، ID=250uA 100 --- --- V
    △BVDSS/△TJ د BVDSS د تودوخې کوفینټ 25℃ ته مراجعه، ID = 1mA --- 0.096 --- V/℃
    RDS (آن) جامد ډرین - سرچینه آن مقاومت VGS=10V,ID=50A --- 1.6 2.3
    VGS(th) د دروازې حد ولټاژ VGS=VDS، ID = 250uA 2.0 3.0 4.0 V
    △VGS(th) VGS (th) د تودوخې کوفینټ --- -5.5 --- mV/℃
    IDSS د وچولو سرچینه لیکج اوسنی VDS=85V , VGS=0V , TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=85V , VGS=0V , TJ=55℃ --- --- 10
    IGSS د ګیټ سرچینه لیکیج اوسنی VGS=±25V، VDS=0V --- --- ±100 nA
    Rg د دروازې مقاومت VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- ۱.۰ --- Ω
    Qg د دروازې ټول چارج (10V) VDS=50V , VGS=10V , ID=50A --- 260 --- nC
    Qgs د دروازې سرچینې چارج --- 80 ---
    Qgd د ګیټ ډرین چارج --- 60 ---
    Td(په) د ځنډولو وخت VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A. --- 88 --- ns
    Tr د پاڅیدو وخت --- 50 ---
    Td(بند) د ځنډ وخت بندول --- ۲۲۸ ---
    Tf د زوال وخت --- ۳۲۲ ---
    Ciss د ننوتلو ظرفیت VDS=40V , VGS=0V , f=1MHz --- ۱۳۹۰۰ --- pF
    Coss د تولید ظرفیت --- ۶۱۶۰ ---
    Crss د ریورس لیږد ظرفیت --- ۲۲۰ ---

  • مخکینی:
  • بل:

  • خپل پیغام دلته ولیکئ او موږ ته یې واستوئ