د MOSFET او IGBT ترمنځ توپیر څه دی؟ اولکی به ستاسو پوښتنو ته ځواب ووایی!

د دواړو د غوښتنلیک ساحې مختلف دي

د MOSFET او IGBT داخلي جوړښتونه توپیر لري، کوم چې د دوی د غوښتنلیک ساحې ټاکي.

د MOSFET د جوړښت له امله، دا معمولا یو لوی جریان ترلاسه کولی شي، کوم چې KA ته رسیدلی شي، مګر د مخکینۍ ولتاژ مقاومت وړتیا د IGBT په څیر قوي نه ده. د دې اصلي غوښتنلیک ساحې د بریښنا رسولو بدلول ، بالسټونه ، د لوړې فریکونسۍ انډکشن تودوخې ، د لوړې فریکونسۍ انورټر ویلډینګ ماشینونه ، د مخابراتو بریښنا رسولو او نور د لوړې فریکونسۍ بریښنا رسولو ساحې دي.

IGBT کولی شي ډیر بریښنا، اوسني او ولتاژ تولید کړي، مګر فریکونسۍ ډیره لوړه نه ده. په اوس وخت کې، د IGBT د سخت بدلولو سرعت 100KHZ ته رسیدلی شي. IGBT په پراخه کچه د ویلډینګ ماشینونو ، انورټرونو ، فریکوینسي کنورټرونو ، الیکٹروپلټینګ الیکټرولیټیک بریښنا رسولو ، الټراسونک انډکشن تودوخې او نورو برخو کې کارول کیږي.

د MOSFET او IGBT اصلي ځانګړتیاوې

MOSFET د لوړ انپټ خنډ، د چټک بدلولو سرعت، ښه حرارتي ثبات، د ولټاژ کنټرول اوسني، او داسې نور ځانګړتیاوې لري. په سرکټ کې، دا د امپلیفیر، بریښنایی سویچ او نورو موخو په توګه کارول کیدی شي.

د نوي ډول بریښنایی سیمیکمډکټر وسیلې په توګه ، IGBT د لوړ ان پټ خنډ ، د ټیټ ولتاژ کنټرول بریښنا مصرف ، ساده کنټرول سرکټ ، لوړ ولټاژ مقاومت ، او لوی اوسني زغم ځانګړتیاوې لري ، او په پراخه کچه په مختلف بریښنایی سرکیټونو کې کارول شوي.

د IGBT مثالی مساوي سرکټ په لاندې شکل کې ښودل شوی. IGBT په حقیقت کې د MOSFET او ټرانزیسټر ترکیب دی. MOSFET د لوړ مقاومت زیان لري، مګر IGBT دا نیمګړتیا له منځه وړي. IGBT لاهم په لوړ ولتاژ کې ټیټ مقاومت لري. .