MOSFETs ته یو نظر وګورئ

MOSFETs MOSFETs insulating integrated circuits.MOSFETs، د یو له خورا بنسټیزو وسایلو په توګه.سیمیکمډکټر ساحه، په پراخه توګه د بورډ په کچه سرکیټونو او همدارنګه د IC ډیزاین کې کارول کیږي.MOSFETs تبادله کیدی شي، او د N-ډول سیمې سره د P-ډول بیک ګیټ کې رامینځته کیږي. په عموم کې، دوه سرچینې د تبادلې وړ دي، دواړه د N-ډول سیمه جوړويد P-ډول بیک ګیټ. په عموم کې، دا دوه زونونه یو شان دي، او حتی که دا دوه برخې تیریږي، د وسیلې فعالیت به اغیزمن نشي. له همدې امله، وسیله سمیټریک ګڼل کیږي.

اصول:

MOSFET VGS کاروي ترڅو د "حوصلې شوي چارج" مقدار کنټرول کړي ترڅو د کنډک چینل حالت بدل کړي چې د دې "حوصلې شوي چارج" لخوا رامینځته شوي د جریان کنټرول لپاره. کله چې MOSFETs تولید شي، د ځانګړو پروسو له لارې په انسولینګ طبقه کې د مثبتو ایونونو لوی شمیر څرګندیږي، ترڅو د انٹرفیس په بل اړخ کې نور منفي چارجونه احساس شي، او د لوړ پارمیتا ناپاکۍ د N-ریجن سره نښلول کیږي. دا منفي چارجونه، او کنډکټیو چینل جوړیږي، او یو نسبتا لوی د اوبو جریان، ID، تولید کیږي حتی که VGS 0 وي. که دروازه ولتاژ بدلیږي ، په چینل کې د هڅول شوي چارج اندازه هم بدلیږي ، او د کنډکټیو چینل عرض په ورته حد کې بدلیږي. که د دروازې ولتاژ بدل شي، په چینل کې د هڅول شوي چارج اندازه به هم بدلون ومومي، او د ترسره کونکي چینل عرض به هم بدل شي، نو د ډرین اوسنی ID به د دروازې ولتاژ سره بدل شي.

رول:

1. دا د امپلیفیر سرکټ کې پلي کیدی شي. د MOSFET امپلیفیر د لوړ ان پټ انډول له امله، د جوړه کولو ظرفیت کوچنی کیدی شي او الکترولیټیک کیپسیټرونه نشي کارول کیدی.

د لوړ انپټ خنډ د انډول تبادلې لپاره مناسب دی. دا ډیری وختونه د څو مرحلو امپلیفیرونو ان پټ مرحله کې د خنډ تبادلې لپاره کارول کیږي.

3، دا د متغیر مقاومت کونکي په توګه کارول کیدی شي.

4، د بریښنایی سویچ په توګه کارول کیدی شي.

MOSFETs اوس د غوښتنلیکونو په پراخه لړۍ کې کارول کیږي، په شمول په تلویزیونونو کې د لوړ فریکونسۍ سرونه او د بریښنا رسولو بدلول. نن ورځ، دوه قطبي عادي ټرانزیسټرونه او MOS د IGBT (Insulated gate bipolar transistor) د جوړولو لپاره یوځای شوي، کوم چې په پراخه توګه د لوړ بریښنا په سیمو کې کارول کیږي، او د MOS مدغم سرکیټونه د ټیټ بریښنا مصرف ځانګړتیا لري، او اوس CPUs په پراخه کچه کارول کیږي. د MOS سرکټونه