MOSFETs (د فلزي آکسایډ سیمیکمډکټر فیلډ اثر ټرانزیسټرونه) د ولټاژ کنټرول شوي وسیلو په نوم یادیږي ځکه چې د دوی عملیاتي اصول په عمده ډول د ډرین کرنټ (Id) باندې د ګیټ ولټاژ (Vgs) کنټرول باندې تکیه کوي ، نه دا چې د کنټرول لپاره په اوسني تکیه وکړي. د دوه قطبي ټرانزیسټرونو سره قضیه ده (لکه BJTs). لاندې د ولتاژ کنټرول شوي وسیلې په توګه د MOSFET تفصیلي توضیحات دي:
د کار اصول
د دروازې ولتاژ کنټرول:د MOSFET زړه د دروازې، سرچینې او اوبو تر مینځ په جوړښت کې پروت دی، او د دروازې لاندې د انسول کولو پرت (معمولا سیلیکون ډای اکسایډ) دی. کله چې ولتاژ په دروازه کې پلي کیږي، د انسولینګ پرت لاندې بریښنایی ساحه رامینځته کیږي، او دا ساحه د سرچینې او اوبو تر مینځ د ساحې چلونکي بدلوي.
د چلونکي چینل جوړښت:د N-چینل MOSFETs لپاره، کله چې د دروازې ولتاژ Vgs په کافي اندازه لوړ وي (د یو ځانګړي ارزښت څخه پورته چې د حد ولټاژ Vt په نوم یادیږي) ، د دروازې لاندې د P ډوله سبسټریټ کې الکترونونه د انسولینګ طبقې لاندې برخې ته متوجه کیږي ، یو N- جوړوي. د لیږدونکي چینل ډول چې د سرچینې او اوبو تر مینځ چلولو ته اجازه ورکوي. برعکس، که Vgs د Vt څخه ټیټ وي، ترسره کوونکی چینل نه جوړیږي او MOSFET په کټ آف کې دی.
د اوبو اوسنی کنټرول:د ډنډ اوسني ID اندازه په عمده ډول د دروازې ولتاژ Vgs لخوا کنټرول کیږي. هرڅومره چې د Vgs لوړ وي ، د ترسره کولو چینل پراخه کیږي ، او د اوسني ID ډینډریشن لوی وي. دا اړیکه MOSFET ته اجازه ورکوي چې د ولټاژ کنټرول اوسني وسیلې په توګه عمل وکړي.
د پیزو د ځانګړتیاوو ګټې
د لوړ انډول خنډ:د MOSFET input impedance خورا لوړ دی د دروازې د جلا کولو له امله او د سرچینې - ډرین سیمې د انسولیټ پرت لخوا، او د دروازې جریان تقریبا صفر دی، کوم چې دا په سرکټونو کې ګټور کوي چیرې چې د لوړ ان پټ خنډ ته اړتیا وي.
ټیټ شور:MOSFETs د عملیاتو په جریان کې نسبتا ټیټ شور تولیدوي، په لویه کچه د دوی د لوړ ان پټ خنډ او یو قطبي کیریر لیږد میکانیزم له امله.
د چټک بدلولو سرعت:څرنګه چې MOSFETs د ولتاژ کنټرول وسیلې دي، د دوی د بدلولو سرعت معمولا د دوه قطبي ټرانزیسټرونو په پرتله ګړندی وي ، کوم چې باید د چارج ذخیره کولو پروسې څخه تیر شي او د سویچ کولو پرمهال خوشې شي.
د بریښنا ټیټ مصرف:په اوسني حالت کې، د MOSFET د وچولو سرچینې مقاومت (RDS(on)) نسبتا ټیټ دی، کوم چې د بریښنا مصرف کمولو کې مرسته کوي. همدارنګه، د کټ آف حالت کې، د جامد بریښنا مصرف خورا ټیټ دی ځکه چې د دروازې اوسنی تقریبا صفر دی.
په لنډیز کې، MOSFETs د ولتاژ کنټرول شوي وسیلو په نوم یادیږي ځکه چې د دوی عملیاتي اصول د دروازې ولتاژ لخوا د ډرین جریان کنټرول باندې خورا ډیر تکیه کوي. دا د ولټاژ کنټرول ځانګړتیا MOSFETs ته په بریښنایی سرکیټونو کې د پراخه غوښتنلیکونو لپاره ژمنې رامینځته کوي ، په ځانګړي توګه چیرې چې د لوړې انپټ خنډ ، ټیټ شور ، د ګړندي بدلولو سرعت او د بریښنا ټیټ مصرف ته اړتیا وي.
د پوسټ وخت: سپتمبر-16-2024
