PMOSFET څه شی دی، ایا تاسو پوهیږئ؟

I. بنسټیز جوړښت او د کار اصول

1. بنسټیز جوړښت

PMOSFETs د n-type substrates او p-چینلونه لري، او د دوی جوړښت په عمده توګه د دروازې (G)، سرچینه (S) او یو ډنډ (D) لري. د n-type سیلیکون سبسټریټ کې، دوه P+ سیمې شتون لري چې په ترتیب سره د سرچینې او اوبو په توګه کار کوي، او دوی د p-چینل له لارې یو له بل سره وصل دي. دروازه د چینل څخه پورته موقعیت لري او د فلزي اکسایډ انسول کولو پرت په واسطه له چینل څخه جلا شوی.

2. د عملیاتو اصول

PMOSFETs د NMOSFETs سره ورته کار کوي، مګر د مخالف ډول کیریر سره. په PMOSFET کې، اصلي کیریر سوري دي. کله چې د سرچینې په اړه په دروازه کې منفي ولتاژ پلي کیږي، د دروازې لاندې د n-type سیلیکون په سطحه د p-type inverse پرت رامینځته کیږي، کوم چې د یوې خندق په توګه کار کوي چې سرچینې او د اوبو سره نښلوي. د دروازې ولتاژ بدلول په چینل کې د سوراخونو کثافت بدلوي، په دې توګه د چینل چلونکي کنټرول کوي. کله چې د دروازې ولتاژ په کافي اندازه ټیټ وي، په چینل کې د سوراخونو کثافت دومره لوړې کچې ته رسیږي چې د سرچینې او اوبو تر مینځ لیږد ته اجازه ورکوي؛ برعکس، چینل قطع کیږي.

II. ځانګړتیاوې او غوښتنلیکونه

1. ځانګړتیاوې

ټیټ حرکت: د P-چینل MOS ټرانزیسټرونه نسبتا ټیټ سوري حرکت لري، نو د PMOS ټرانزیسټرونو لیږد د ورته جیومیټري او عملیاتي ولتاژ لاندې د NMOS ټرانزیسټرونو څخه کوچنی دی.

د ټیټ سرعت ، ټیټ فریکونسۍ غوښتنلیکونو لپاره مناسب: د ټیټ خوځښت له امله ، د PMOS مدغم سرکیټونه په ټیټ سرعت ، ټیټ فریکونسۍ سیمو کې غوښتنلیکونو لپاره خورا مناسب دي.

د کنټرول شرایط: د PMOSFETs د لیږد شرایط د NMOSFETs سره مخالف دي، د دروازې ولتاژ ته اړتیا لري چې د سرچینې ولتاژ څخه ټیټ وي.

 

1. غوښتنلیکونه

د لوړ اړخ سویچنګ: PMOSFETs معمولا د لوړ اړخ سویچنګ ترتیبونو کې کارول کیږي چیرې چې سرچینه د مثبت عرضه سره وصل وي او ډرین د بار مثبت پای سره وصل وي. کله چې PMOSFET ترسره کوي، دا د بار مثبت پای له مثبت عرضه سره نښلوي، د بار له لارې جریان ته اجازه ورکوي. دا ترتیب په ساحو کې خورا عام دی لکه د بریښنا مدیریت او د موټرو ډرایو.

د ریورس محافظت سرکیټونه: PMOSFETs د ریورس محافظت سرکیټونو کې هم کارول کیدی شي ترڅو سرکټ ته د زیان مخه ونیسي چې د ریورس بریښنا رسولو یا بار شوي اوسني بیک فلو له امله رامینځته کیږي.

III. ډیزاین او نظرونه

1. د ګیټ ولتاژ کنټرول

کله چې د PMOSFET سرکیټونو ډیزاین کول، د دروازې ولتاژ دقیق کنټرول ته اړتیا ده ترڅو مناسب عملیات یقیني کړي. څرنګه چې د PMOSFETs د لیږد شرایط د NMOSFETs سره مخالف دي، نو باید د دروازې ولتاژ قطبي او شدت ته پاملرنه وشي.

2. پیوستون بار کړئ

کله چې د بار سره وصل کول، د بار قطبیت ته باید پاملرنه وشي ترڅو ډاډ ترلاسه شي چې اوسنی د PMOSFET له لارې په سمه توګه جریان لري، او د PMOSFET فعالیت باندې د بار اغیز، لکه د ولتاژ کمیدل، د بریښنا مصرف، او نور. هم باید په پام کې ونیول شي.

3. د تودوخې ثبات

د PMOSFETs فعالیت د تودوخې لخوا خورا اغیزمن کیږي ، نو د PMOSFETs فعالیت باندې د تودوخې اغیزې باید د سرکټونو ډیزاین کولو پرمهال په پام کې ونیول شي ، او د سرکیټونو د تودوخې ثبات ښه کولو لپاره ورته اقدامات باید په پام کې ونیول شي.

4. د ساتنې سرکټونه

د دې لپاره چې PMOSFETs د عملیاتو په جریان کې د overcurrent او overvoltage لخوا زیانمن کیدو مخه ونیسي ، د محافظت سرکټونه لکه overcurrent محافظت او overvoltage محافظت باید په سرکټ کې نصب شي. دا محافظت سرکیټونه کولی شي په مؤثره توګه د PMOSFET ساتنه وکړي او د دې خدمت ژوند وغزوي.

 

په لنډیز کې، PMOSFET د MOSFET یو ډول دی چې ځانګړي جوړښت او کاري اصول لري. د دې ټیټ خوځښت او د ټیټ سرعت ، ټیټ فریکونسۍ غوښتنلیکونو لپاره مناسبیت دا په ځانګړي برخو کې په پراخه کچه پلي کیږي. کله چې د PMOSFET سرکټونو ډیزاین کول، د دروازې ولتاژ کنټرول، د بار کولو اتصال، د تودوخې ثبات او د محافظت سرکیټونو ته پاملرنه اړینه ده ترڅو د سرکټ مناسب عملیات او اعتبار یقیني کړي.