MOSFETsپه پراخه توګه کارول کیږي. اوس ځینې لوی پیمانه مدغم سرکیټونه MOSFET کارول کیږي، بنسټیز فعالیت او BJT ټرانزیسټر، سویچنګ او امپلیفیکیشن دي. اساسا د BJT ټرایډ کارول کیدی شي چیرې چې دا کارول کیدی شي ، او په ځینو ځایونو کې فعالیت د ټرایډ څخه غوره دی.
د MOSFET پراخول
MOSFET او BJT triode، که څه هم دواړه د سیمیکمډکټر امپلیفیر وسیله ده، مګر د ټرایډ په پرتله ډیرې ګټې، لکه د لوړ ان پټ مقاومت، د سیګنال سرچینه تقریبا هیڅ موجوده نه ده، کوم چې د ان پټ سیګنال ثبات لپاره مناسب دی. دا د ان پټ سټیج امپلیفیر په توګه یو مثالی وسیله ده ، او د ټیټ شور او د تودوخې ښه ثبات ګټې هم لري. دا ډیری وختونه د آډیو امپلیفیکیشن سرکیټونو لپاره د پری امپلیفیر په توګه کارول کیږي. په هرصورت، ځکه چې دا د ولتاژ کنټرول اوسنی وسیله ده، د ډرین جریان د دروازې سرچینې تر مینځ ولتاژ لخوا کنټرول کیږي، د ټیټ فریکونسۍ ټرانس کنډکټانس امپلیفیکیشن ضمیمه عموما لوی نه وي، نو د پراخولو وړتیا کمزورې ده.
د MOSFET بدلولو اغیز
MOSFET د بریښنایی سویچ په توګه کارول کیږي ، یوازې د پولیون چلولو تکیه کولو له امله ، د بیس اوسني او د چارج ذخیره کولو اغیزې له امله د BJT ټرایډ په څیر هیڅ شتون نلري ، نو د MOSFET د سویچ کولو سرعت د ټرایډ څخه ګړندی دی ، د سویچ ټیوب په توګه. ډیری وختونه د لوړې فریکونسۍ لوړ اوسني فرصتونو لپاره کارول کیږي ، لکه د بریښنا رسولو بدلول چې په MOSFET کې د کار په لوړه فریکونسۍ لوړ اوسني حالت کې کارول کیږي. د BJT ټرایډ سویچونو سره پرتله کول، د MOSFET سویچونه کولی شي په کوچنیو ولتاژونو او جریانونو کې کار وکړي، او په سیلیکون ویفرونو کې ادغام کول اسانه دي، نو دوی په پراخه کچه په لوی پیمانه مدغم سرکیټونو کې کارول کیږي.
د کارولو پر مهال احتیاطي تدابیر څه ديMOSFETs?
MOSFETs د ټرایډونو په پرتله ډیر نازک دي او د ناسم استعمال له امله په اسانۍ سره زیانمن کیدی شي، نو د کارولو پرمهال باید ځانګړې پاملرنه وشي.
(1) دا اړینه ده چې د مختلف کارولو فرصتونو لپاره د MOSFET مناسب ډول غوره کړئ.
(2) MOSFETs، په ځانګړې توګه د انسول شوي دروازې MOSFETs، د ننوتلو لوړ خنډ لري، او باید هر الیکټروډ ته لنډ شي کله چې د کارونې په وخت کې نه وي ترڅو د دروازې انډکشن چارج له امله ټیوب ته زیان ونه رسوي.
(3) د جنکشن MOSFETs د دروازې سرچینې ولتاژ نشي بدلیدلی ، مګر په خلاص سرکټ حالت کې خوندي کیدی شي.
(4) د دې لپاره چې د MOSFET د لوړې انپټ خنډ ساتلو لپاره، ټیوب باید د لندبل څخه خوندي شي او د کارولو چاپیریال کې وچ وساتل شي.
(5) چارج شوي شیان (لکه د سولډرینګ اوسپنې، د ازموینې وسایل، او نور) د MOSFET سره په تماس کې دي چې ټیوب ته د زیان رسولو مخنیوي لپاره باید په ځمکه کېښودل شي. په ځانګړي توګه کله چې ویلډینګ موصل شوي دروازې MOSFET ، د سرچینې په وینا - د ویلډینګ د دروازې ترتیب ترتیب ، دا غوره ده چې د بریښنا بندیدو وروسته ویلډ کړئ. د سولډرینګ اوسپنې ځواک تر 15 ~ 30W پورې مناسب دی ، د ویلډینګ وخت باید له 10 ثانیو څخه ډیر نه وي.
(6) موصل شوی دروازه MOSFET د ملټي میټر سره نشي ازمول کیدی ، یوازې د ټیسټر سره ازموینه کیدی شي ، او یوازې د الیکټروډونو لنډ سرکټ تارونو لرې کولو لپاره ټیسټر ته د لاسرسي وروسته. کله چې لیرې شي، نو اړینه ده چې د لرې کولو دمخه د الیکټروډونو شارټ سرکټ کړئ ترڅو د دروازې له مینځلو څخه مخنیوی وشي.
(7) کله چې کارولMOSFETsد سبسټریټ لیډونو سره، د سبسټریټ لیډونه باید په سمه توګه وصل شي.
د پوسټ وخت: اپریل-23-2024
