د MOSFET بدیل اصول او د ښه او بد قضاوت

۱، کیفیتي قضاوتMOSFETښه یا بد

د MOSFET بدیل اصول او د ښه یا بد قضاوت ، لومړی د ملټي میټر R × 10kΩ بلاک (په 9V یا 15V بیټرۍ کې جوړ شوی) وکاروئ ، منفي قلم (تور) د دروازې (G) سره وصل شوی ، مثبت قلم (سرخ) سره وصل شوی. سرچینه (ص). کله چې د دروازې او سرچینې ترمنځ چارج کیږي، د ملټي میټر پوائنټر به یو څه منحل شي. بیا د ملټي میټر په کارولو سره د R × 1Ω بلاک ، منفي قلم د ډنډ (D) ته ، سرچینې ته مثبت قلم (S) ، ملټي میټر د څو ohms ارزښت په ګوته کوي ، دا په ګوته کوي چې MOSFET ښه دی.

 

2، د جنکشن MOSFET الکترود کیفیت تحلیل

ملټي میټر به د R × 100 فایل ته ډایل شي ، سور قلم هر یو فوټ ټیوب ته ، تور قلم بل ته ، ترڅو دریم پښه وځنډول شي. که تاسو د متر ستنې یو څه تیریدل ومومئ، ثابت کړئ چې دریم پښه دروازه ده. که تاسو غواړئ نورې څرګندې پایلې ترلاسه کړئ، تاسو کولی شئ د تړل شوي پښې د لمس کولو لپاره بدن ته نږدې یا د ګوتې سره هم وکاروئ، تر هغه چې تاسو ګورئ چې ستنه د پام وړ انحراف شوې، دا د دروازې لپاره تعلیق شوې پښه په ګوته کوي. په ترتیب سره د سرچینې او اوبو لپاره دوه فوټونه پاتې دي.

د تبعیض لاملونه:JFETد ننوتلو مقاومت د 100MΩ څخه ډیر دی، او د ټرانس کنډکټانس خورا لوړ دی، کله چې دروازه خلاص سرکټ وي، د خلا بریښنایی مقناطیسي ساحه د دروازې ولتاژ سیګنال لخوا په اسانۍ سره هڅول کیدی شي، ترڅو ټیوب قطع شي، یا کنډکشن ته وده ورکړي. که چیرې د انسان بدن مستقیم د دروازې انډکشن ولټاژ ته وګرځي ، د ان پټ مداخلې سیګنال له امله قوي وي ، پورتنۍ پدیده به خورا څرګنده وي. د مثال په توګه، کیڼ اړخ ته ستنه ډیره لویه ده، دا پدې مانا ده چې ټیوب قطع کیږي، د وچولو سرچینې مقاومت RDS زیاتیږي، د وچولو سرچینې اوسنی IDS کموي. برعکس، ستنه د لوی انعطاف ښي اړخ ته، چې ټیوب د کنډکشن سره مخ کیږي، RDS ↓، IDS ↑. په هرصورت، د میټر ستنه په حقیقت کې کوم لوري ته انعطاف کوي باید د هڅول شوي ولتاژ (مخکې یا بیرته ولټاژ) او د ټیوب عملیاتي نقطې لخوا مشخص شي.
وقایې:

د ازموینې پایلې ښیې کله چې دواړه لاسونه د D او S قطبونو څخه موصل شوي وي او یوازې دروازه لمس کیږي ، د میټر ستنه په عمومي ډول کیڼ اړخ ته منحل کیږي. په هرصورت، کله چې دواړه لاسونه په ترتیب سره د D او S قطبونو ته لمس کوي او ګوتې دروازې ته لمس کوي، د میټر ستنه لیدل کیدی شي چې ښي خوا ته منحل شي. د دې لامل دا دی چې د انسان د بدن څو برخې او مقاومت تعصب کويMOSFETد سنتریشن سیمې ته.

 

 

 

د کریسټال ټرایډ پن عزم

Triode د یو کور (دوه PN جنکشن)، درې الیکټروډونو او یو ټیوب شیل څخه جوړ شوی دی، درې الیکټروډونه د کلکټر c، emitter e، base b په نوم یادیږي. اوس مهال، عام ټرایډ د سیلیکون پلانر ټیوب دی، کوم چې نور په دوو کټګوریو ویشل شوی: PNP-ډول او NPN-ډول. د آلماني مصر ټیوبونه اوس نادر دي.

دلته به موږ د ملټي میټر کارولو یو ساده میتود معرفي کړو چې د ټرایډ فوټ اندازه کولو لپاره.

 

1، د بنسټ قطب ومومئ، د ټیوب ډول وټاکئ (NPN یا PNP)

د PNP ډوله ټرایډ لپاره، C او E قطبونه د هغې دننه د دوه PN جنکشن مثبت قطبونه دي، او د B قطب د هغې مشترکه منفي قطب دی، پداسې حال کې چې د NPN ډول ټرایډ مخالف دی، د C او E قطب منفي قطبونه دي. د دوه PN جنکشنونو څخه، او د B قطب د هغې مشترکه مثبت قطب دی، او د PN جنکشن مثبت مقاومت د ځانګړتیاوو سره سم د بیس قطب او د ټیوب ډول معلومول اسانه دي، او د برعکس مقاومت لوی دی. . ځانګړې طریقه دا ده:

په R × 100 یا R × 1K ګیر کې ډیل شوي ملټي میټر وکاروئ. سور قلم یو پن ته لمس کړئ ، او بیا تور قلم وکاروئ چې له نورو دوه پنونو سره وصل شوي و ، نو تاسو کولی شئ درې ګروپونه (هره ګروپ دوه) لوستل ترلاسه کړئ ، کله چې د لوستلو دوه سیټونو څخه یوه د ټیټ مقاومت ارزښت کې وي. څو سوه ohms، که عامه پنونه سور قلم وي، اړیکه یې بیس، د ټرانزیسټر ډول د PNP ډول دی؛ که عامه پنونه تور قلم وي، اړیکه اساس دی، د ټرانزیسټر ډول د NPN ډول.

 

2، emitter او راټولونکی وپیژني

لکه څنګه چې د ټرایډ تولید ، د ډوپینګ غلظت دننه دوه P ساحه یا دوه N ساحه توپیر لري ، که سم امپلیفیر وي ، ټرایډ قوي امپلیفیکیشن لري ، او برعکس ، د غلط امپلیفیر سره ، د ډیری ضعیف امپلیفیر امپلیفیکیشن لوی شمیر. ، نو د سم امپلیفیر سره ټرایډ ، د غلط امپلیفیر سره ټرایډ ، لوی توپیر به وي.

 

د ټیوب ډول او اساس b پیژندلو وروسته ، راټولونکی او ایمیټر په لاندې ډول پیژندل کیدی شي. د R x 1K په فشارولو سره ملټي میټر ډایل کړئ. بیس او بل پن د دواړو لاسونو سره یوځای کړئ (په پام کې ونیسئ چې الیکټروډونه مستقیم تماس ته نه راځي). د اندازه کولو پدیده روښانه کولو لپاره ، خپلې ګوتې لوند کړئ ، سور قلم د بیس سره وخورئ ، تور قلم د بل پن سره وخورئ ، او د ملټي میټر پوینټر ښي سوینګ شدت ته پام وکړئ. بیا، دوه پنونه تنظیم کړئ، د اندازه کولو پورته ګامونه تکرار کړئ. په دوه اندازه کولو کې د ستنې سوینګ طول پرتله کړئ او برخه یې د لوی سوینګ سره ومومئ. د PNP ډوله ټرانزیسټرونو لپاره ، تور قلم د پن او بیس پنچ سره وصل کړئ ، پورتنۍ تجربې تکرار کړئ ترڅو ومومئ چې د ستنې سوینګ طول چیرې لوی دی ، د NPN ډول لپاره ، تور قلم د بیس سره وصل دی ، سور. قلم د ایمیټر سره وصل دی. د PNP ډول کې، سور قلم د راټولونکي سره وصل دی، تور قلم د ایمیټر سره وصل دی.

 

د دې پیژندنې میتود اصل دا دی چې بیټرۍ په ملټي میټر کې کارول کیږي، ولتاژ د ټرانزیسټر راټولونکي او ایمیټر ته اضافه کیږي ترڅو دا د پراخولو وړتیا ولري. په لاس کې د هغې بیس، راټولونکی، د لاس له لارې د مقاومت سره مساوي د ټرایډ پلس د مثبت تعصب جریان سره مساوي کړئ، ترڅو دا ترسره کړي، په دې وخت کې د میټر ستنې ښي خوا ته د حرکت کولو شدت د هغې د پراخولو وړتیا منعکس کوي، نو تاسو کولی شئ په سمه توګه. د emitter ځای وټاکئ، راټولونکی.