د سیمیکمډکټر ساحه کې یو له خورا لومړني وسیلو په توګه ، MOSFETs په پراخه کچه د IC ډیزاین او بورډ کچې سرکیټونو کې کارول کیږي. اوس مهال، په ځانګړې توګه د لوړ ځواک سیمیک کنډکټرونو په ساحه کې، د MOSFETs مختلف جوړښتونه هم د نه بدلیدونکي رول لوبوي. لپارهMOSFETsد هغه جوړښت چې په یوه کې د ساده او پیچلي مجموعه ویل کیدی شي، ساده په جوړښت کې ساده دی، پیچلتیا د هغې د ژور غور کولو په اساس دی. په ورځ کې،MOSFET تودوخه هم یو ډیر عام حالت ګڼل کیږي، هغه کلیدي چې موږ ورته اړتیا لرو لاملونه پوه شو چې له کوم ځای څخه او کوم میتودونه یې حل کیدی شي؟ بیا راځئ چې د پوهیدو لپاره یوځای شو.
I. لاملونهMOSFET ګرمول
1، د سرکټ ډیزاین ستونزه. دا باید MOSFET ته اجازه ورکړي چې په آنلاین حالت کې کار وکړي، نه د بدلولو حالت کې. دا یو له هغو دلیلونو څخه دی چې ولې MOSFET ګرم کیږي. که چیرې N-MOS سویچنګ وکړي، د G-level ولتاژ باید د بریښنا رسولو څخه څو V لوړ وي ترڅو په بشپړ ډول فعال شي، او د P-MOS لپاره برعکس ریښتیا ده. په بشپړه توګه نه خلاصیږي او د ولتاژ ډراپ ډیر لوی دی چې په پایله کې د بریښنا مصرف کیږي، د مساوي DC انډول نسبتا لوی دی، د ولتاژ ډراپ ډیریږي، نو U * I هم لوړیږي، ضایع د تودوخې معنی لري.
2، فریکونسۍ ډیره لوړه ده. په عمده توګه کله ناکله د حجم لپاره خورا ډیر، د فریکونسۍ د زیاتوالي په پایله کې، د MOSFET د زیاتوالي ضایعات، چې د MOSFET تودوخې لامل کیږي.
3، اوسنی ډیر لوړ دی. کله چې ID د اعظمي اوسني څخه کم وي ، نو دا به د MOSFET د تودوخې لامل هم شي.
4، د MOSFET ماډل انتخاب غلط دی. د MOSFET داخلي مقاومت په بشپړه توګه په پام کې نه دی نیول شوی، چې په پایله کې یې د بدلولو خنډ ډیریږي.二،
د MOSFET د شدید تودوخې تولید لپاره حل
1، د MOSFET د تودوخې سنک ډیزاین کې ښه دنده ترسره کړئ.
2، کافي معاون تودوخه ډوب اضافه کړئ.
3، د تودوخې سنک چپکونکي پیسټ کړئ.
د پوسټ وخت: می-19-2024
