د کرسټال ټرانزیسټر فلزي-اکسایډ-سیمیک کنډکټر جوړښت چې په عام ډول پیژندل کیږيMOSFET، چیرې چې MOSFETs په P-ډول MOSFETs او N-ډول MOSFETs ویشل شوي دي. د MOSFETs څخه جوړ شوي مدغم سرکیټونه هم د MOSFET مدغم سرکیټونو په نوم یادیږي، او د PMOSFETs څخه جوړ شوي د MOSFET مربوط سرکیټونو سره نږدې تړاو لري.NMOSFETs د CMOSFET مدغم سرکیټونو په نوم یادیږي.
یو MOSFET چې د p-ډول سبسټریټ او دوه n- خپریدو ساحې لري د لوړ غلظت ارزښتونو سره د n-چینل په نوم یادیږي.MOSFET، او د n-ډول کنډکټیو چینل لخوا رامینځته شوی کنډکټیو چینل د n- خپریدو لارې په دوه n - خپریدو لارو کې د لوړ غلظت ارزښتونو سره رامینځته کیږي کله چې ټیوب ترسره کیږي. د n-چینل ضخامت MOSFETs د n-چینل لري چې د کنډکټیو چینل له امله رامینځته کیږي کله چې په دروازه کې د امکان تر حده مثبت سمتي تعصب پورته کیږي او یوازې هغه وخت چې د دروازې سرچینې عملیات عملیاتي ولتاژ ته اړتیا ولري چې د حد ولټاژ څخه ډیر وي. د n-چینل تخریب MOSFETs هغه دي چې د دروازې ولتاژ ته چمتو ندي (د دروازې سرچینې عملیات د صفر عملیاتي ولتاژ ته اړتیا لري). د n-چینل د رڼا کمولو MOSFET یو N-چینل MOSFET دی چې په کې د کنډکټیو چینل رامینځته کیږي کله چې د دروازې ولتاژ (د دروازې سرچینې عملیاتي اړتیا عملیاتي ولتاژ صفر وي) چمتو نه وي.
د NMOSFET مدغم شوي سرکټونه د N-چینل MOSFET بریښنا رسولو سرکټونه دي، د NMOSFET مدغم سرکیټونه، د ننوتلو مقاومت خورا لوړ دی، لوی اکثریت د بریښنا جریان جذبولو ته اړتیا نلري، او پدې توګه د CMOSFET او NMOSFET مدغم سرکیټونه پرته له دې چې وصل شي. د بریښنا جریان د بار محاسبه کړئ. د NMOSFET مدغم سرکیټونو ډیری برخه د واحد ګروپ مثبت سویچنګ بریښنا رسولو سرکیټ انتخاب د بریښنا رسولو سرکیټونو ډیری برخه د NMOSFET مدغم سرکیټونو یو واحد مثبت سویچنګ بریښنا رسولو سرکټ کاروي ، او د نورو لپاره 9V. د CMOSFET مدغم سرکټونه یوازې د ورته سویچنګ بریښنا رسولو سرکټ بریښنا رسولو سرکټ کارولو ته اړتیا لري لکه څنګه چې د NMOSFET مدغم سرکیټونو سره سمدلاسه د NMOSFET مدغم سرکیټونو سره وصل کیدی شي. په هرصورت، د NMOSFET څخه CMOSFET ته سمدلاسه وصل شوی، ځکه چې د NMOSFET محصول پل اپ مقاومت د CMOSFET مربوط سرکټ کلید پل اپ مقاومت څخه کم دی، نو هڅه وکړئ د احتمالي توپیر پل اپ ریزیسټور R پلي کړئ، د ریزیسټور ارزښت R دی. عموما له 2 څخه تر 100KΩ.
د N-چینل موټی MOSFETs جوړول
د P-ډول سیلیکون سبسټریټ کې د ټیټ ډوپینګ غلظت ارزښت سره ، دوه N سیمې د لوړ ډوپینګ غلظت ارزښت سره رامینځته کیږي ، او دوه الیکټروډونه د المونیم فلز څخه ایستل شوي ترڅو په ترتیب سره د ډرین d او سرچینې s په توګه خدمت وکړي.
بیا د سیمیکمډکټر برخې په سطحه کې د سیلیکا انسولیټ ټیوب خورا پتلی طبقه پوښل کیږي ، په ډرین کې - د ډرین او د بل المونیم الیکټروډ سرچینې ترمینځ د انسولیټ ټیوب سرچینه ، لکه د دروازې g.
په سبسټریټ کې یو الیکټروډ B هم رامینځته کیږي ، کوم چې د N-چینل موټ MOSFET څخه جوړ دی. د MOSFET سرچینه او سبسټریټ عموما یو بل سره وصل شوي ، په فابریکه کې د پایپ پراخه برخه له اوږدې مودې راهیسې ورسره تړلې ده ، د هغې دروازه او نور الکترودونه د کیسینګ ترمینځ موصل شوي دي.
د پوسټ وخت: می 26-2024
