د MOSFET طبقه بندي ځانګړتیاوې

MOSFET د خپل لوړ ان پټ مقاومت، ټیټ شور، تودوخې ثبات، په بریښنایی سرکټونو کې د مدغم ګټو او د دې لوی بریښنا جریان له امله، د لوی عملیاتي ولتاژ بریښنا رسولو سرکټ په پراخه کچه کارول کیږي؛ مناسب غوښتنلیک، د MOSFET پن پیژندنه، قطبیت خورا مهم دی، د ورته ټرانزیسټر سره، د MOSFET پن په مهارت سره پیژندلو ته اړتیا لري، قطبیت باید لومړی د هغې جوړښت او بنسټیز اصول وپیژني.MOSFETپن یوه دروازه G، د ډراین D او سرچینه S درې بریښنایی کچې لري، که د دوه ګوني دروازې ټیوب څلور بریښنایی کچې ولري.

MOSFETs په جنکشن ویشل کیدی شيMOSFETsاو د موصل شوي پرت دروازې MOSFETs د ساختمان له مخې، چې له هغې څخه د موصل شوي پرت دروازې MOSFETs په وده او کمولو ویشل شوي؛ جنکشن MOSFETs "جنکشن" د pn جنکشن ته اشاره کوي، د انسول شوي پرت دروازه MOSFETs موصل شوي پرت دروازه د دروازې او سرچینې یوې طبقې ته اشاره کوي، په مینځ کې وچول. د سیلیکون ډای اکسایډ کیبل میان، د دوی تر مینځ هیڅ چلونکي اړیکه شتون نلري. د کنډکټیو چینل ځانګړتیاو سره سم، د جنکشن MOSFET او موصل شوي پرت گرډ MOSFET په بریښنایی او بریښنایی برخو ویشل کیدی شي.د سوراخ ډوله چینل،دا د MOSFET کنډکټیک خوندي چینل دی. MOSFET یو قطبي کرسټال ټرانزیسټر ته منسوب شوی ، ټرانزیسټر دوه قطبي کرسټال ټرانزیسټر ته منسوب شوی ، دا د یو ډول وړیا الکترونونو په مخ کې یوازې د یو ډول کنډکټیو په واسطه ، وروستنی یو ډول چلونکی دی. دوه ډوله وړیا الکترونونه. MOSFET د ولتاژ کنټرول شوي کرسټال ټرانزیسټر پورې اړه لري ، د دروازې او د کاري ولتاژ د مینځنۍ سرچینې سره سم د کنډکټیو کاري ظرفیت چینل بدلولو لپاره. ټرایډ د فلکس - مینځل شوي کرسټال ټرایډ په توګه طبقه بندي شوی ، او د راټولونکي جنکشن جریان اندازه د فلکس د بدلون سره سم بدلیږي.

د کلونو په اوږدو کې، OLUKEY د ژوندي پاتې کیدو اعتبار ته، د "کیفیت لومړی، خدمت لومړی" هدف ته غاړه ایښودل او په کور دننه او بهر ډیری لوړ تخنیکي تصدۍ، اصلي فابریکه د ښه کاري اړیکو رامینځته کولو لپاره، د ډیری کلونو مسلکي تجربې سره. توزیع، د ښه کریډیټ سره، غوره خدمت، او پراخه باور او ملاتړ ته لاسرسی.