MOSFETs (Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistor) اکثرا په بشپړ ډول کنټرول شوي وسایل ګڼل کیږي. دا ځکه چې د MOSFET عملیاتي حالت (آن یا بند) په بشپړ ډول د دروازې ولټاژ (Vgs) لخوا کنټرول کیږي او د دوه قطبي ټرانزیسټر (BJT) په څیر د بیس اوسني پورې اړه نلري.
په MOSFET کې، د دروازې ولتاژ Vgs دا معلوموي چې ایا یو چلونکي چینل د سرچینې او اوبو تر مینځ رامینځته شوی، په بیله بیا د ترسره کونکي چینل عرض او چلښت. کله چې Vgs د ولتاژ Vt حد څخه ډیر شي، د ترسره کولو چینل رامینځته کیږي او MOSFET آن حالت ته ننوځي؛ کله چې Vgs د Vt څخه ښکته شي، ترسره کوونکی چینل ورک شي او MOSFET د قطع شوي حالت کې وي. دا کنټرول په بشپړ ډول کنټرول شوی ځکه چې د دروازې ولتاژ کولی شي په خپلواکه او دقیق ډول د MOSFET عملیاتي حالت کنټرول کړي پرته لدې چې په نورو اوسني یا ولتاژ پیرامیټونو تکیه وکړي.
په مقابل کې، د نیمه کنټرول شوي وسیلو عملیاتي حالت (د مثال په توګه، تایریسټر) نه یوازې د کنټرول ولټاژ یا کرنټ لخوا اغیزمن کیږي، بلکې د نورو فکتورونو (د بیلګې په توګه، د انود ولټاژ، اوسني، او نور) لخوا هم اغیزمن کیږي. د پایلې په توګه، په بشپړ ډول کنټرول شوي وسایل (د بیلګې په توګه، MOSFETs) معمولا د کنټرول دقت او انعطاف له مخې غوره فعالیت وړاندې کوي.
په لنډیز کې، MOSFETs په بشپړ ډول کنټرول شوي وسایل دي چې عملیاتي حالت یې په بشپړه توګه د دروازې ولتاژ لخوا کنټرول کیږي، او د لوړ دقیقیت، لوړ انعطاف او ټیټ بریښنا مصرف ګټې لري.
د پوسټ وخت: سپتمبر-20-2024
