د بریښنا سویچ او نورو بریښنا رسولو سیسټم ډیزاین برنامې کې ، د برنامې ډیزاینران به د بریښنا یو شمیر لوی پیرامیټونو ته ډیر پام وکړي.MOSFET، لکه آن آف ریزسټر، لوی عملیاتي ولتاژ، د بریښنا لوی جریان. که څه هم دا عنصر دیانتقاديد ناسم ځای په پام کې نیولو سره به د بریښنا رسولو سرکټ په سمه توګه کار ونکړي، مګر په حقیقت کې، دا یوازې لومړی ګام بشپړ شوی،د MOSFET خپل پرازیتي پیرامیټونه د بریښنا رسولو سرکټ له خطر سره مخ کولو لپاره مهم شی ګڼل کیږي.
د بریښنا رسولو ICs سره د MOSFETs سمدستي موټر چلول
د ښه MOSFET ډرایور سرکټ لاندې شرایط لري:
(1) کله چې سویچ فعال شي، د موټر چلوونکي سرکټ باید د دې وړتیا ولري چې خورا لوی کرنټ تولید کړي، ترڅو د MOSFET دروازې سرچینې انټر پول عملیاتي ولتاژ ژر تر ژره اړین ارزښت ته لوړ شي، ترڅو ډاډ ترلاسه شي چې سویچ بدلیدلی شي. په چټکۍ سره او د پورته کیدو په څنډه کې به د لوړې فریکونسۍ هیڅ ډول حرکتونه شتون ونلري.
(2) د بریښنا سویچ آن او آف دورې ، د ډرایو سرکټ کولی شي ډاډ ترلاسه کړي چې د MOSFET دروازې سرچینې بین قطب عملیاتي ولتاژ د اوږدې مودې لپاره ساتل کیږي ، او مؤثره لیږدونې.
(3) د ډرایو سرکټ یوه شیبه بنده کړئ ، کولی شي د ګړندي ډرین ترمینځ د MOSFET دروازې سرچینې ظرفیت عملیاتي ولتاژ لپاره د ټیټ خنډ چینل چمتو کړي ، ترڅو ډاډ ترلاسه شي چې سویچ ژر تر ژره بند کیدی شي.
(4) د ټیټ پوښاک او اوښکو سره د ډرایو سرکیټونو ساده او د باور وړ جوړول.
(5) د ځانګړي وضعیت سره سم د ساتنې ترسره کولو لپاره.
د کنټرول ماډل بریښنا رسولو کې، ترټولو عام د بریښنا رسولو IC مستقیم MOSFET چلوي. غوښتنلیک، باید د لوی ډرائیو ته پاملرنه وکړي د بریښنا جریان لوړ ارزښت، MOSFET توزیع capacitance 2 اصلي پیرامیټونه. د بریښنا IC ډرایو وړتیا، د MOS توزیع ظرفیت اندازه، د ډرایو د مقاومت مقاومت ارزښت به د MOSFET بریښنا بدلولو نرخ له خطر سره مخامخ کړي. که چیرې د MOSFET توزیع ظرفیت انتخاب نسبتا لوی وي، د بریښنا رسولو IC داخلي ډرایو وړتیا کافي نه ده، باید د ډرایو سرکټ کې وي ترڅو د ډرایو وړتیا ښه کړي، ډیری وختونه د بریښنا رسولو IC ډرایو ظرفیت لوړولو لپاره د ټوټیم قطب بریښنا رسولو سرکټ پلي کړئ. .
د پوسټ وخت: جولای 25-2024
