N-Channel MOSFET، N-Channel Metal-Oxide-semiconductor Field-effect Transistor، د MOSFET یو مهم ډول دی. لاندې د N-channel MOSFETs تفصيلي توضیحات دي:
I. بنسټیز جوړښت او ترکیب
د N-چینل MOSFET لاندې مهمې برخې لري:
دروازه:د کنټرول ترمینل، د دروازې ولتاژ بدلولو سره د سرچینې او ډرین تر مینځ د کنډک چینل کنټرولولو لپاره.· ·
سرچینه:اوسنی جریان، معمولا د سرکټ منفي اړخ سره وصل وي.· ·
وچول: اوسنی جریان، معمولا د سرکیټ بار سره وصل وي.
سبسټریټ:معمولا د P-ډول سیمیکمډکټر مواد، د MOSFETs لپاره د سبسټریټ په توګه کارول کیږي.
انسولر:د دروازې او چینل ترمنځ موقعیت لري، دا معمولا د سیلیکون ډای اکسایډ (SiO2) څخه جوړ شوی او د انسولټر په توګه کار کوي.
II. د عملیاتو اصول
د N-چینل MOSFET عملیاتي اصول د بریښنایی ساحې اغیزې پراساس دي ، کوم چې په لاندې ډول پرمخ ځي:
د قطع کیدو حالت:کله چې د دروازې ولتاژ (Vgs) د حد ولټاژ (Vt) څخه ټیټ وي، نو د دروازې لاندې د P ډوله سبسټریټ کې هیڅ N-ډول چلونکي چینل نه رامینځته کیږي، او له همدې امله د سرچینې او اوبو تر مینځ د قطع کولو حالت په خپل ځای دی. او جریان نشي جریان کولی.
د چلولو حالت:کله چې د دروازې ولتاژ (Vgs) د حد ولټاژ (Vt) څخه لوړ وي، د دروازې لاندې د P-ډول سبسټریټ کې سوري بیرته راګرځول کیږي، د تخریب طبقه جوړوي. د دروازې ولتاژ کې د نور زیاتوالي سره، الکترون د P-ډول سبسټریټ سطح ته جذب کیږي، د N-ډول چلونکي چینل جوړوي. په دې وخت کې، د سرچینې او اوبو تر مینځ یوه لاره رامینځته کیږي او جریان کولی شي جریان وکړي.
III. ډولونه او ځانګړتیاوې
د N-channel MOSFETs د دوی د ځانګړتیاوو له مخې په مختلفو ډولونو ویشل کیدی شي، لکه د لوړولو موډ او ډیپلیشن موډ. د دوی په منځ کې، د پراختیا موډ MOSFETs د کټ آف حالت کې دي کله چې د دروازې ولتاژ صفر وي، او د ترسره کولو لپاره د مثبت دروازې ولتاژ پلي کولو ته اړتیا لري؛ پداسې حال کې چې د Depletion-Mode MOSFETs لا دمخه په کنډکټیو حالت کې دي کله چې د دروازې ولتاژ صفر وي.
N-channel MOSFETs ډیری غوره ځانګړتیاوې لري لکه:
د لوړ داخلی خنډ:د MOSFET دروازه او چینل د انسولینګ پرت په واسطه جلا شوي، چې په پایله کې د خورا لوړ ان پټ خنډ سبب کیږي.
ټیټ شور:څرنګه چې د MOSFETs عملیات د لږکیو کیریرونو انجیکشن او مرکب کول شامل نه دي، شور کم دی.
د بریښنا کم مصرف: MOSFETs په دواړو حالتونو کې د بریښنا کم مصرف لري.
د لوړ سرعت بدلولو ځانګړتیاوې:MOSFETs خورا ګړندي سویچنګ سرعت لري او د لوړ فریکونسۍ سرکیټونو او لوړ سرعت ډیجیټل سرکټونو لپاره مناسب دي.
IV. د غوښتنلیک ساحې
د N-channel MOSFETs په پراخه کچه په مختلف بریښنایی وسیلو کې د دوی د غوره فعالیت له امله کارول کیږي ، لکه:
ډیجیټل سرکټونه:د منطق دروازې سرکیټونو د بنسټیز عنصر په توګه، دا د ډیجیټل سیګنالونو پروسس او کنټرول پلي کوي.
انلاګ سرکټونه:په انلاګ سرکیټونو کې د کلیدي برخې په توګه کارول کیږي لکه امپلیفیرونه او فلټرونه.
بریښنایی بریښنایی:د بریښنا بریښنایی وسیلو کنټرول لپاره کارول کیږي لکه د بریښنا رسولو بدلول او د موټرو ډرایو.
نورې سیمې:لکه د LED څراغونه، د موټرو برقیات، بې سیم مخابرات او نورې برخې هم په پراخه کچه کارول کیږي.
په لنډیز کې، د N-channel MOSFET، د یو مهم سیمیکمډکټر وسیله په توګه، په عصري بریښنایی ټیکنالوژۍ کې د نه بدلیدونکي رول لوبوي.
د پوسټ وخت: سپتمبر-13-2024
