IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) او MOSFET (Metal-Oxide-semiconductor Field-effect Transistor) د بریښنا دوه عام سیمیکمډکټر وسیلې دي چې په پراخه کچه د بریښنا برقیاتو کې کارول کیږي. پداسې حال کې چې دواړه په مختلفو غوښتنلیکونو کې اړین برخې دي، دوی په ډیری اړخونو کې د پام وړ توپیر لري. لاندې د IGBT او MOSFET ترمنځ لومړني توپیرونه دي:
1. د کار اصول
- IGBT: IGBT د BJT (بایپولر جنکشن ټرانزیسټور) او MOSFET دواړه ځانګړتیاوې سره یوځای کوي، دا یو هایبرډ وسیله جوړوي. دا د MOSFET د دروازې ولتاژ له لارې د BJT اساس کنټرولوي، کوم چې په پایله کې د BJT کنډکیشن او کټ آف کنټرولوي. که څه هم د IGBT کنډکشن او کټ آف پروسې نسبتا پیچلې دي، دا د ټیټ کنډکشن ولتاژ ضایعات او د لوړ ولتاژ زغم لري.
- MOSFET: MOSFET د ساحې اغیزې ټرانزیسټر دی چې په سیمیکمډکټر کې د دروازې ولټاژ له لارې جریان کنټرولوي. کله چې د دروازې ولتاژ د سرچینې ولتاژ څخه ډیر شي، یو کنډک پرت جوړیږي، د جریان جریان ته اجازه ورکوي. برعکس، کله چې د دروازې ولتاژ د حد څخه ښکته وي، کنډک پرت ورکیږي، او جریان نشي کولی جریان وکړي. د MOSFET عملیات نسبتا ساده دي، د چټک بدلولو سرعت سره.
2. د غوښتنلیک ساحې
- IGBT: د دې د لوړ ولتاژ زغم له امله ، د ټیټ کنډکشن ولتاژ ضایع کول ، او د ګړندي بدلولو فعالیت ، IGBT په ځانګړي توګه د لوړ ځواک ، ټیټ زیان غوښتنلیکونو لکه انورټرونو ، موټرو چلوونکو ، ویلډینګ ماشینونو او نه ختمیدونکي بریښنا رسولو (UPS) لپاره مناسب دی. . په دې غوښتنلیکونو کې، IGBT په اغیزمنه توګه د لوړ ولتاژ او لوړ اوسني سویچنګ عملیات اداره کوي.
- MOSFET: MOSFET د خپل ګړندي غبرګون ، لوړ ان پټ مقاومت ، مستحکم سویچ کولو فعالیت او ټیټ لګښت سره ، په پراخه کچه د ټیټ بریښنا ، ګړندي سویچنګ غوښتنلیکونو لکه د سویچ حالت بریښنا رسولو ، ر lightingا ، آډیو امپلیفیرونو او منطق سرکیټونو کې کارول کیږي. . MOSFET د ټیټ بریښنا او ټیټ ولټاژ غوښتنلیکونو کې په استثنایی ډول ښه فعالیت کوي.
3. د فعالیت ځانګړتیاوې
- IGBT: IGBT په لوړ ولتاژ، لوړ اوسني غوښتنلیکونو کې د دې وړتیا له امله چې د ټیټ کنډکشن ضایعاتو سره د پام وړ بریښنا اداره کولو وړتیا لري، مګر دا د MOSFETs په پرتله د ورو سویچ سرعت لري.
- MOSFET: MOSFETs د ګړندي سویچنګ سرعت ، د ټیټ ولټاژ غوښتنلیکونو کې لوړ موثریت ، او په لوړ سویچنګ فریکونسیو کې د بریښنا ټیټ ضایعاتو لخوا مشخص شوي.
4. د تبادلې وړتیا
IGBT او MOSFET ډیزاین شوي او د بیلابیلو موخو لپاره کارول کیږي او په عمومي ډول نشي بدلیدلی. د کوم وسیله کارولو انتخاب په ځانګړي غوښتنلیک، د فعالیت اړتیاو، او د لګښت په پام کې نیولو پورې اړه لري.
پایله
IGBT او MOSFET د کاري اصولو، غوښتنلیک ساحو، او د فعالیت ځانګړتیاوو له مخې د پام وړ توپیر لري. د دې توپیرونو پوهیدل د بریښنا بریښنایی ډیزاینونو لپاره مناسب وسیلې غوره کولو کې مرسته کوي ، د مطلوب فعالیت او لګښت موثریت ډاډمن کوي.
د پوسټ وخت: سپتمبر-21-2024
