د MOSFET ناکامۍ لاملونه او مخنیوی

خبرونه

د MOSFET ناکامۍ لاملونه او مخنیوی

دوه اصلي لاملونهof MOSFET ناکامي:

د ولتاژ ناکامي: دا دی چې د اوبو او سرچینې ترمینځ د BVdss ولتاژ د ټاکل شوي ولتاژ څخه ډیر دیMOSFET او رسیږي یو مشخص ظرفیت، د MOSFET د ناکامۍ لامل کیږي.

د دروازې ولتاژ ناکامي: دروازه د غیر معمولي ولتاژ سپیک سره مخ کیږي، چې په پایله کې د دروازې اکسیجن پرت ناکامیږي.

د MOSFET ناکامۍ لاملونه او مخنیوی

د ولتاژ ناکامي (د ولتاژ ناکامي)

په حقیقت کې د واورې توپان زیان څه شی دی؟ په ساده ډول،یو MOSFET د ناکامۍ حالت دی چې د بس ولټاژونو ، ټرانسفارمر انعکاس ولتاژونو ، د لیک سپیک ولټاژونو ، او MOSFET تر مینځ د سوپر موقعیت لخوا رامینځته شوی. په لنډه توګه، دا یو عام ناکامي ده چې واقع کیږي کله چې د MOSFET د اوبو سرچینې قطب کې ولتاژ د خپل ټاکل شوي ولتاژ ارزښت څخه ډیر شي او د انرژي یو ټاکلي حد ته ورسیږي.

 

د واورې د اورښت د زیانونو د مخنیوي تدابیر:

- په سمه توګه دوز کم کړئ. په دې صنعت کې، دا معمولا د 80-95٪ لخوا کم شوی. د شرکت د تضمین شرایطو او لاین لومړیتوبونو پراساس غوره کړئ.

- انعکاس ولتاژ مناسب دی.

-RCD، TVS د جذب سرکټ ډیزاین مناسب دی.

- لوړ اوسني تارونه باید د امکان تر حده لوی وي ترڅو پرازیتي انډکټانس کم کړي.

- د مناسب دروازې مقاومت Rg غوره کړئ.

- د اړتیا په صورت کې د لوړ بریښنا رسولو لپاره د RC ډیمپینګ یا زینر ډایډ جذب اضافه کړئ.

د MOSFET ناکامۍ لاملونه او مخنیوی (1)

د دروازې ولتاژ ناکامي

د غیر معمولي لوړ گرډ ولتاژ درې اصلي لاملونه شتون لري: د تولید، ترانسپورت او غونډو په جریان کې جامد بریښنا؛ د بریښنا سیسټم عملیاتو په جریان کې د تجهیزاتو او سرکیټونو د پرازیتي پیرامیټونو لخوا رامینځته شوي لوړ ولتاژ گونج؛ او د لوړ ولتاژ شاکونو په جریان کې گرډ ته د Ggd له لارې د لوړ ولتاژ لیږد (یوه غلطي چې د بریښنا د اعتصاب ازموینې په جریان کې خورا عام وي).

 

د دروازې د ولتاژ غلطیو د مخنیوي لپاره تدابیر:

د دروازې او سرچینې تر مینځ د ډیر ولټاژ محافظت: کله چې د دروازې او سرچینې ترمینځ خنډ خورا لوړ وي ، د دروازې او سرچینې ترمینځ ولتاژ کې ناڅاپي بدلون د الیکټروډونو ترمینځ د ظرفیت له لارې دروازې سره یوځای کیږي چې په پایله کې د خورا لوړ UGS ولټاژ ډیر تنظیم کیږي ، د دروازې ډیر تنظیم کولو لامل کیږي. دایمي اکسیډیټ زیان. که UGS په مثبت انتقالي ولتاژ کې وي، وسیله ممکن د غلطیو لامل هم شي. د دې پر بنسټ، د دروازې ډرایو سرکټ خنډ باید په مناسبه توګه کم شي او د لامبو مقاومت یا د 20V ثبات ولتاژ باید د دروازې او سرچینې ترمنځ وصل شي. د خلاصې دروازې عملیاتو مخنیوي لپاره باید ځانګړې پاملرنه وشي.

د ډیسچارج ټیوبونو تر مینځ د اوور ولټاژ محافظت: که چیرې په سرکټ کې انډکټر شتون ولري ، د لیکج جریان کې ناڅاپي بدلون (di/dt) کله چې واحد بند شي د رسیدونکي ولتاژ په پایله کې د اکمالاتو ولتاژ څخه ډیر لوړ شي ، چې واحد ته زیان رسوي. په محافظت کې باید د زینر کلیمپ، RC کلیمپ، یا RC سپپریشن سرکټ شامل وي.


د پوسټ وخت: جولای-17-2024