1.Junction MOSFET پن پیژندنه
د دروازې دروازهMOSFET د ټرانزیسټر اساس دی، او ډرین او منبع د راټولوونکی او ایمیټر دیورته ټرانزیسټر. ملټي میټر تر R × 1k ګیر ، د دوه قلمونو سره د دوه پنونو ترمینځ د مخکینۍ او بیرته راګرځیدو مقاومت اندازه کولو لپاره. کله چې دوه پن مخکینۍ مقاومت = د مقابلې مقاومت = KΩ، دا د سرچینې S او ډرین D لپاره دوه پنونه دي، پاتې پن د دروازې G دی. که چیرې دا 4 پن ويجنکشن MOSFET، بل قطب د ځمکني پوښ کارول دي.
2.دروازه معلومه کړئ
د ملټي میټر تور قلم سره د MOSFET یو تصادفي الیکټروډ لمس کولو لپاره ، سور قلم د نورو دوه الیکټروډونو لمس کولو لپاره. که دواړه اندازه شوي مقاومت کوچنی وي، دا په ګوته کوي چې دواړه مثبت مقاومت لري، ټیوب د N-چینل MOSFET پورې اړه لري، ورته تور قلم اړیکه هم دروازه ده.
د تولید پروسې پریکړه کړې چې د MOSFET ډرین او سرچینه همغږي ده، او د یو بل سره تبادله کیدی شي، او د سرکټ کارول به اغیزه ونکړي، په دې وخت کې سرکټ هم نورمال دی، نو اړتیا نشته چې لاړ شي. ډیر توپیر ته. د اوبو او منبع تر منځ مقاومت د څو زره اوهام په اړه دی. نشي کولی د دې میتود څخه کار واخلي ترڅو د موصل شوي دروازې ډول MOSFET دروازه مشخص کړي. ځکه چې د دې MOSFET د ننوتلو مقاومت خورا لوړ دی، او د دروازې او سرچینې ترمنځ د انټر پولر ظرفیت خورا کوچنی دی، د انټر پولر په سر کې د لږ مقدار چارج اندازه کول کیدی شي. د خورا لوړ ولتاژ ظرفیت، MOSFET به د زیان رسولو لپاره خورا اسانه وي.
3. د MOSFETs د لوړولو وړتیا اټکل کول
کله چې ملټي میټر R × 100 ته ټاکل شوی وي، د سرچینې S سره نښلولو لپاره سور قلم وکاروئ، او تور قلم وکاروئ ترڅو د ډرین D وصل کړئ، کوم چې MOSFET ته د 1.5V ولتاژ اضافه کولو په څیر دی. پدې وخت کې ستنه د DS قطب تر منځ د مقاومت ارزښت په ګوته کوي. په دې وخت کې د یوې ګوتې سره د دروازې د ګوتو کولو لپاره، د بدن هڅول شوي ولتاژ دروازې ته د ننوتلو سیګنال په توګه. د MOSFET امپلیفیکیشن رول له امله ، ID او UDS به بدل شي ، پدې معنی چې د DS قطب ترمینځ مقاومت بدل شوی ، موږ کولی شو مشاهده کړو چې ستنه لوی سوینګ طول لري. که لاس په لاس دروازه وټکوي، د ستنې سوینګ خورا کوچنی دی، دا د MOSFET امپلیفیکیشن وړتیا نسبتا کمزورې ده؛ که ستنه لږ څه عمل ونه کړي، دا په ګوته کوي چې MOSFET زیانمن شوی.
د پوسټ وخت: جولای 18-2024
