لوی بسته MOSFET ډرایور سرکټ

تر ټولو لومړی، د MOSFET ډول او جوړښت، MOSFET یو FET دی (بل JFET دی)، کیدای شي د لوړ شوي یا تخریب ډول، P-چینل یا N-چینل په مجموع کې په څلورو ډولونو کې تولید شي، مګر یوازې د لوړ شوي N ریښتینې غوښتنلیک. - چینل MOSFETs او د P-چینل MOSFETs ته وده ورکول، نو معمولا د NMOSFET په نوم یادیږي، یا PMOSFET ته اشاره کوي. نو معمولا ذکر شوی NMOSFET، یا PMOSFET دې دوو ډولونو ته اشاره کوي. د دې دوه ډوله پرمختللي MOSFETs لپاره، NMOSFETs په عام ډول کارول کیږي ځکه چې د دوی ټیټ مقاومت او د تولید اسانتیا. نو ځکه، NMOSFETs عموما د بریښنا رسولو او د موټرو ډرایو غوښتنلیکونو بدلولو کې کارول کیږي، او لاندې پیژندنه هم په NMOSFETs تمرکز کوي. د پرازیتي ظرفیت د دریو پنونو ترمنځ شتون لريMOSFET، کوم چې اړتیا نلري ، بلکه د تولید پروسې محدودیتونو له امله. د پرازیتي ظرفیت شتون د موټر چلوونکي سرکټ ډیزاین یا غوره کول یو څه ستونزمن کوي. د ډنډ او منبع تر منځ یو پرازیتی ډایډ شتون لري. دا د باډي ډایډ په نوم یادیږي او د انډکټیو بارونو لکه موټرو چلولو کې مهم دی. په هرصورت، د بدن ډایډ یوازې په انفرادي MOSFETs کې شتون لري او معمولا د IC چپ دننه شتون نلري.

اوس دMOSFETد ټیټ ولتاژ غوښتنلیکونه چل کړئ، کله چې د 5V بریښنا رسولو کارول، دا ځل که تاسو د دودیز ټوټیم قطب جوړښت وکاروئ، د ټرانزیسټر له امله د ولتاژ شاوخوا 0.7V کمیږي، په پایله کې د ولتاژ په دروازه کې ریښتیني وروستی اضافه یوازې دی. 4.3 V. په دې وخت کې، موږ د ځانګړو خطرونو په شتون کې د MOSFET د 4.5V نومول شوي دروازې ولتاژ غوره کوو. ورته ستونزه د 3V یا نورو ټیټ ولټاژ بریښنا رسولو فرصتونو کارولو کې پیښیږي. دوه ګونی ولتاژ په ځینو کنټرول سرکیټونو کې کارول کیږي چیرې چې د منطق برخه یو عادي 5V یا 3.3V ډیجیټل ولټاژ کاروي او د بریښنا برخه 12V یا حتی لوړ کاروي. دوه ولتاژونه د ګډ ځمکې په کارولو سره وصل شوي دي. دا د داسې سرکټ کارولو ته اړتیا لري چې د ټیټ ولتاژ اړخ ته اجازه ورکوي چې د لوړ ولتاژ اړخ کې MOSFET په مؤثره توګه کنټرول کړي، پداسې حال کې چې MOSFET د لوړ ولتاژ اړخ کې به ورته ستونزې سره مخ شي چې په 1 او 2 کې ذکر شوي.

په ټولو دریو قضیو کې، د ټوټیم قطب جوړښت نشي کولی د محصول اړتیاوې پوره کړي، او ډیری د شیلف څخه بهر MOSFET ډرایور ICs داسې نه بریښي چې د دروازې ولتاژ محدود کولو جوړښت پکې شامل وي. د ننوت ولتاژ یو ثابت ارزښت نه دی، دا د وخت یا نورو فکتورونو سره توپیر لري. دا تغیر د دې لامل کیږي چې د PWM سرکټ لخوا MOSFET ته چمتو شوي ډرایو ولټاژ بې ثباته وي. د دې لپاره چې MOSFET د لوړې دروازې ولتاژ څخه خوندي کړي، ډیری MOSFETs د ولتاژ تنظیم کونکي جوړ کړي ترڅو په زور سره د دروازې ولتاژ اندازه محدود کړي. پدې حالت کې ، کله چې د ډرایو ولټاژ د ولتاژ تنظیم کونکي څخه ډیر چمتو کړي ، نو دا به په ورته وخت کې د لوی جامد بریښنا مصرف لامل شي ، که تاسو په ساده ډول د دروازې ولټاژ کمولو لپاره د مقاومت ولتاژ ویشونکي اصول وکاروئ ، نو نسبتا لوړ وي. د ننوت ولتاژ، دMOSFETښه کار کوي، پداسې حال کې چې د ان پټ ولټاژ کم شوی کله چې د دروازې ولتاژ کافي نه وي چې د بشپړ لیږد څخه کم لامل شي، په دې توګه د بریښنا مصرف زیاتوي.

دلته نسبتا عام سرکټ یوازې د NMOSFET ډرایور سرکټ لپاره د ساده تحلیل لپاره دی: Vl او Vh د ټیټ پای او لوړ پای بریښنا رسول دي، دوه ولتاژونه ورته وي، مګر Vl باید د Vh څخه ډیر نه وي. Q1 او Q2 د انډول شوي ټوټیم قطب جوړوي، د انزوا احساس کولو لپاره کارول کیږي، او په ورته وخت کې د دې ډاډ ترلاسه کولو لپاره چې دوه ډرایور ټیوب Q3 او Q4 به د ورته وخت لیږد نه وي. R2 او R3 د PWM ولتاژ چمتو کوي R2 او R3 د PWM ولتاژ حواله چمتو کوي، د دې حوالې په بدلولو سره، تاسو کولی شئ د PWM سیګنال څپې کې سرکټ کار کولو ته اجازه ورکړئ نسبتا سخت او مستقیم موقعیت لري. Q3 او Q4 د ډرایو اوسني چمتو کولو لپاره کارول کیږي، د وخت له امله، د Vh او GND په پرتله Q3 او Q4 یوازې لږ تر لږه د Vce ولتاژ ډراپ دی، دا ولتاژ ډراپ معمولا یوازې 0.3V یا ډیر وي، ډیر ټیټ. د 0.7V څخه Vce R5 او R6 د فیډبیک مقاومت کونکي دي چې د دروازې لپاره کارول کیږي R5 او R6 د فیډبیک مقاومت کونکي دي چې د دروازې نمونې لپاره کارول کیږي ولتاژ، چې بیا د Q5 له لارې تیریږي ترڅو د Q1 او Q2 په اډو کې قوي منفي عکس العمل رامینځته کړي ، پدې توګه د دروازې ولتاژ محدود ارزښت ته محدودوي. دا ارزښت د R5 او R6 لخوا تنظیم کیدی شي. په نهایت کې، R1 د Q3 او Q4 لپاره د بیس اوسني محدودیت چمتو کوي، او R4 MOSFETs ته د اوسني دروازې محدودیت چمتو کوي، کوم چې د Q3Q4 د یخ محدودیت دی. د سرعت کیپسیټر د اړتیا په صورت کې د R4 پورته موازي سره وصل کیدی شي.