د MOSFET ناکامۍ مخنیوي څرنګوالی

د پوسټ وخت: جولای 29-2024

په دې مرحله کې د صنعت غوښتنلیک په کچه کې، د لومړي درجه مصرف کونکي بریښنایی وسایل اډاپټر توکي. او د MOSFET گرفت د اصلي کارولو له مخې، د MOSFET د دویمې درجې غوښتنې غوښتنه د کمپیوټر مور بورډ، NB، د کمپیوټر مسلکي بریښنا اډاپټر، LCD نندارې او نور توکي دي. د اساسي ملي شرایطو د پراختیا رجحان سره سره، د کمپیوټر مور بورډونه، د کمپیوټر مسلکي بریښنا اډاپټرونه، د اړتیاو په اړه د LCD مانیټرونه.MOSFETs باید د مصرف کونکي بریښنایی اډاپټرونو حالت څخه هاخوا لاړشئ.

لاندې دیMOS شپږ لوی لاملونه باطل.

1. د ځمکې ښویدنې ناسم (عملي ولتاژ ناسم)، چې ډیری وختونه د BVdss عملیاتي ولتاژ د سرچینې تر مینځ لیک ته ویل کیږي د MOSFET د ټاکل شوي اوسني څخه ډیر وي، او د یو ځانګړي فعالیت ترسره کول چې د MOSFET ناسم المل ګرځي.

2. SOA ناسم (د بریښنا جریان ناباوره)، دواړه د MOSFET خوندي عملیاتي ساحې کې چې د غلط له امله رامینځته شوي ، د آلې مشخصاتو له مخې په ID کې ویشل شوي او ناسم او د دې ID خورا لوی ، د وسیلې لوړ پوښ او اوښکې دی چې د اوږدې مودې حرارتي راټولیدو له امله رامینځته کیږي.

3. د بدن ناسم ډایډډ. په برج کې، LLC او نور د باډي ډایډ لپاره اغیزمن دي ترڅو د شبکې ټوپولوژي دوام ترسره کړي، ځکه چې د بدن ډایډ د باطلیدو لخوا اغیزمن کیږي.

4. ناسم سلسله ریزونانس. د لینک د غوښتنلیک په لړۍ کې، دروازه او د بریښنا رسولو سرکټ پرازیتیک پیرامیټرې د باطلیدو له امله د بدلون لامل کیږي.

5. الکتروسټیک انډکشن باطل دی. په ژمي او مني کې، د بدن او ماشینونو او تجهیزاتو له امله د الیکټروسټاټیک انډکشن له امله د وسیلې لخوا رامینځته شوی باطل دی.

6. ناسمه دروازه ولتاژ. ځکه چې دروازه غیر معمولي کاري ولتاژ چوکۍ وه، او د دروازې دروازې ته لیډ د اکسیجن پرت ناسم دی.