د MOSFETs وده او تخریب تحلیل

D-FET د 0 دروازې تعصب کې دی کله چې د چینل شتون، کولی شي FET ترسره کړي؛ E-FET د 0 دروازې تعصب کې دی کله چې هیڅ چینل شتون نلري، نشي کولی FET ترسره کړي. دا دوه ډوله FETs خپل ځانګړتیاوې او کارونې لري. په عموم کې، د لوړ سرعت، ټیټ بریښنا سرکیټونو کې د FET وده خورا ارزښتناکه ده؛ او دا وسیله کار کوي، دا د دروازې تعصب دیltage او drain د ورته ولټاژ ، دا د سرکټ ډیزاین کې خورا اسانه دی.

تش په نامه پرمختللې وسیله: کله چې VGS = 0 ټیوب د کټ آف حالت وي ، په بیله بیا سم VGS ، ډیری بار وړونکي دروازې ته راجلب کیږي ، پدې توګه په سیمه کې کیریر "لوړ" کوي ، یو چلونکي چینل جوړوي. n-channel enhanced MOSFET اساسا د کیڼ ښي اړخ سمتي ټوپولوژي ده، کوم چې د SiO2 فلم موصلیت د پرت په نسل کې د P-ډول سیمیکمډکټر دی. دا د P-type سیمیک کنډکټر کې د SiO2 فلم انسولینګ پرت تولیدوي، او بیا د دوه لوړ ډوپ شوي N-ډول سیمو په واسطه توزیع کوي.فوتوګرافي، او د N-ډول سیمې څخه لیډ الیکٹروډونه ، یو د ډرین D لپاره او یو د سرچینې S لپاره. د المونیم فلزي یوه طبقه د سرچینې او ډرین ترمینځ د انسول کولو پرت باندې د دروازې په توګه پلي کیږي. کله چې VGS = 0 V د ډرین او منبع تر منځ د شا او خوا یو څو ډیایډونه شتون لري او د D او S ترمینځ ولتاژ د D او تر مینځ جریان نه رامینځته کوي. S. د D او S تر منځ اوسنی د ولتاژ په واسطه نه جوړیږي.

کله چې د دروازې ولتاژ اضافه شي، که 0 <VGS <VGS(th)، د دروازې او سبسټریټ تر مینځ رامینځته شوي ظرفیت لرونکي بریښنایی ساحې له لارې ، د دروازې لاندې ته نږدې د P ډوله سیمیکمډکټر کې پولیون سوري د ښکته خوا ته اړول کیږي ، او د منفي آئنونو یو پتلی کمښت پرت څرګندیږي؛ په عین حال کې، دا به په دې کې اولیګون جذب کړي ترڅو د سطحې طبقې ته حرکت وکړي، مګر شمیر یې محدود او ناکافي دی ترڅو یو کنډک چینل جوړ کړي چې د اوبو او سرچینې سره اړیکه ونیسي، نو دا لاهم د اوسني ID د جوړولو لپاره کافي ندي. نور زیاتوالی VGS، کله چې VGS > VGS (th) (VGS (th) د باری-آن ولټاژ په نوم یادیږی، ځکه چې په دې وخت کې د دروازې ولتاژ نسبتا پیاوړی دی، د P-type سیمیکمډکټر سطحی طبقه کې چې د دروازې لاندې ته نږدې د نورو راټولولو لپاره. الکترون، تاسو کولی شئ خندق، د اوبو او د اړیکو سرچینه جوړه کړئ. که چیرې په دې وخت کې د ډرین سرچینې ولتاژ اضافه شي، د ډرین جریان ID رامینځته کیدی شي. په کنډکټیو چینل کې الکترونونه د دروازې لاندې رامینځته شوي ، ځکه چې د کیریر سوري د P - ډول سیمیکمډکټر قطبي سره مخالف دی ، نو دې ته د ضد ډوله طبقه ویل کیږي. لکه څنګه چې د VGS زیاتوالي ته دوام ورکوي، ID به دوام ومومي. ID = 0 په VGS = 0V کې، او د وچولو جریان یوازې د VGS > VGS(th) څخه وروسته واقع کیږي، نو د دې ډول MOSFET ته وده MOSFET ویل کیږي.

د وی جی ایس کنټرول اړیکه د ډرین کرنټ په اړه د وکر iD = f(VGS(th))|VDS=const لخوا تشریح کیدی شي، کوم چې د لیږد ځانګړتیا منحني په نوم یادیږي، او د لیږد ځانګړتیا منحني منحل اندازه، gm، د دروازې سرچینې ولتاژ لخوا د اوبو د جریان کنټرول منعکس کوي. د gm اندازه mA/V ده، نو gm ته د ټرانس کنډکټانس هم ویل کیږي.