د MOSFET د غیر موثریت د لاملونو تحلیل

1، د ولتاژ ناکامي اکثرا د BVdss ولتاژ د سرچینې تر مینځ لیک ته ویل کیږي چې د ماسفیټ له ټاکل شوي ولتاژ څخه ډیر وي ، او د یو ځانګړي وړتیا څخه هاخوا د ماسفیټ ناکامۍ لامل کیږي.

2، اوسنۍ ناکامي چې د موسفیټ خوندي کاري حد څخه ډیره ده او ناباوره، چې په ID کې ویشل شوي د وسیلې له مشخصاتو څخه ډیر دی او د دې ID له امله رامینځته شوې ناکامي خورا لوی، لوړ پوښل او اوښکې دي چې په پایله کې د اوږدې مودې تودوخې جمع کیږي. وسیله او ناکامي.

3، په برج کې، LLC او نور د باډي ډایډډ لپاره اغیزمن دي ترڅو د اوسني ټوپولوژي ترسره کړي، ځکه چې د بدن ډایډ ویجاړ شوی او باطل شوی.

4، د موازي غوښتنلیک په پروسه کې، دروازه د سرکټ پرازیتیک پیرامیټونو سره د بدلونونو لامل کیږي د ریزونانس ناکامۍ سبب کیږي.

5 ، په وچ چاپیریال کې ، ځکه چې د انسان بدن او تجهیزات او د وسیلې لخوا رامینځته شوي جامد بریښنا به د جامد غیر موثر کیدو لامل شي.

6. د دروازې ولتاژ ناسم دی ځکه چې په دروازه کې د غیر معمولي عملیاتي ولتاژ لوړوالی.

پورته پر بنسټ ولاړ دیMOSFETد ناکامۍ د لاملونو تحلیل، موږ ورته پروسس عملیات ترسره کوو، نورې مسلې شتون لري چې موږ سره آنلاین Guanhua Weiye شرکت سره مشوره وکړو، کولی شي تاسو ته اغیزمن ځوابونه او د کیفیت خدماتو چلند چمتو کړي.
olukeyد کریډیټ بقا لپاره شرکت ، د "کیفیت لومړی ، خدمت لومړی" هدف ته غاړه ایښودل او په کور دننه او بهر ډیری لوړ ټیک تصدۍ ، اصلي فابریکه د ښه کاري اړیکو رامینځته کولو لپاره ، په توزیع کې د ډیری کلونو مسلکي تجربې سره ، د ښه کریډیټ سره ، غوره خدمت، د باور او ملاتړ پراخه لړۍ ته لاسرسی.