د MOSFET تودوخې تولید مهم لاملونو تحلیل

د N ډول، P ډول MOSFET د جوهر کاري اصول یو شان دي، MOSFET په عمده توګه د دروازې ولتاژ د ان پټ اړخ ته اضافه کیږي ترڅو په بریالیتوب سره د ډرین کرنټ د تولید اړخ کنټرول کړي، MOSFET د ولتاژ کنټرول وسیله ده، د ولتاژ اضافه کولو له لارې. دروازې ته د وسیلې ځانګړتیاوې کنټرولولو لپاره ، د ټرایډ برعکس د بدلولو وخت ترسره کولو لپاره د بیس اوسني چارج له امله رامینځته شوی د ذخیره کولو اغیز، د غوښتنلیکونو بدلولو کې، MOSFET د غوښتنلیکونو بدلولو کې،MOSFET د د بدلولو سرعت د ټرایډ په پرتله ګړندی دی.

د سویچ کولو بریښنا رسولو کې ، معمولا د MOSFET خلاص ډرین سرکټ کارول کیږي ، ډرین د بار سره وصل دی لکه څنګه چې ورته ویل کیږي ، د خلاص ډرین ، خلاص ډرین سرکټ په نوم یادیږي ، بار د دې سره وصل دی چې څومره لوړ ولټاژ دی ، د دې توان لري چې فعال شي ، بند کړي. load current، د انلاګ سویچ کولو مثالی وسیله ده، کوم چې د MOSFET اصول دی چې د وسیلو بدلولو لپاره، MOSFET د نورو سرکټونو په بڼه د سویچ کولو لپاره.

د بریښنا رسولو غوښتنلیکونو بدلولو شرایطو کې ، دا غوښتنلیک اړتیا لري MOSFETs د وخت په تیریدو سره ترسره کول، بندول، لکه د DC-DC بریښنا رسول چې معمولا په بنسټیز بکس کنورټر کې کارول کیږي د سویچ کولو فعالیت ترسره کولو لپاره په دوو MOSFETs تکیه کوي، دا سویچونه په بدیل سره په انډکټر کې د انرژي ذخیره کولو لپاره، بار ته انرژي خوشې کوي، ډیری وختونه غوره کوي. په سلګونو kHz یا حتی د 1 MHz څخه ډیر، په عمده توګه دا چې فریکونسۍ یې لوړه وي، د مقناطیسي برخې کوچنۍ وي. د نورمال عملیاتو په جریان کې ، MOSFET د یو کنډکټر سره مساوي دی ، د مثال په توګه ، د لوړ بریښنا MOSFETs ، کوچني ولټاژ MOSFETs ، سرکټونه ، د بریښنا رسول د MOS لږترلږه کنډکشن ضایع دی.

د MOSFET PDF پیرامیټرې، د MOSFET جوړونکو په بریالیتوب سره د RDS (ON) پیرامیټر غوره کړی ترڅو د دولت پر وړاندې خنډ تعریف کړي، د غوښتنلیکونو بدلولو لپاره، RDS (ON) د وسیله خورا مهم ځانګړتیا ده؛ ډیټاشیټ RDS (ON) تعریفوي، د دروازې (یا ډرایو) ولتاژ VGS او د سویچ له لارې روان جریان تړاو لري، د مناسبې دروازې ډرایو لپاره، RDS (ON) یو نسبتا جامد پیرامیټر دی؛ MOSFETs چې په جریان کې دي د تودوخې تولید ته زیان رسوي، او ورو ورو د جنکشن تودوخې زیاتوالی د RDS (ON) د زیاتوالي لامل کیدی شي؛MOSFET ډیټاشیټونه د حرارتي خنډ پیرامیټر مشخص کوي، کوم چې د MOSFET کڅوړې د سیمیکمډکټر جنکشن وړتیا په توګه تعریف شوی ترڅو د تودوخې ضایع کړي، او RθJC په ساده ډول د جنکشن څخه تر قضیې د حرارتي خنډ په توګه تعریف شوی.

1، فریکونسۍ خورا لوړه ده، ځینې وختونه د حجم تعقیب کول، په مستقیم ډول د لوړې فریکونسۍ لامل کیږي، MOSFET په ضایع کې زیاتوالی راولي، د تودوخې لوی، د کافي تودوخې د ضایع کولو ډیزاین ښه کار مه کوئ، لوړ اوسنی، نومول شوی د MOSFET اوسنی ارزښت، د ترلاسه کولو لپاره د ښه تودوخې تحلیل ته اړتیا؛ ID د اعظمي اوسني څخه کم دی، کیدای شي جدي تودوخه وي، د کافي مرستندویه هیټسینکس اړتیا.

2، د MOSFET انتخاب تېروتنې او د بریښنا په قضاوت کې تېروتنې، د MOSFET داخلي مقاومت په بشپړه توګه په پام کې نه دی نیول شوی، په مستقیم ډول به د MOSFET تودوخې ستونزو سره د معاملو په وخت کې د سویچنګ خنډ زیاتوالي المل شي.

3، د سرکټ ډیزاین ستونزو له امله، د تودوخې په پایله کې، د دې لپاره چې MOSFET په یو خطي عملیاتي حالت کې کار کوي، نه د سویچ کولو حالت کې، کوم چې د MOSFET تودوخې مستقیم لامل دی، د بیلګې په توګه، N-MOS سویچ کول، G- د ولتاژ کچه باید د بریښنا رسولو څخه د څو V لخوا لوړه وي، د دې لپاره چې په بشپړ ډول د لیږد وړ وي، P-MOS توپیر لري؛ د بشپړ خلاصیدو په نشتوالي کې ، د ولټاژ ډراپ خورا لوی دی ، کوم چې به د بریښنا مصرف لامل شي ، د مساوي DC انډول لوی دی ، د ولټاژ ډراپ به هم ډیر شي ، U * I به هم لوړ شي ، زیان به د تودوخې لامل شي.