WSD6060DN56 N-چینل 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

محصولات

WSD6060DN56 N-چینل 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

لنډ معلومات:

برخه شمیره:WSD6060DN56

BVDSS:60V

پېژندنه:65A

RDSON:7.5mΩ 

چینل:N-چینل

بسته:DFN5X6-8


د محصول تفصیل

غوښتنلیک

د محصول ټګ

د WINSOK MOSFET محصول عمومي کتنه

د WSD6060DN56 MOSFET ولتاژ 60V دی، اوسنی 65A دی، مقاومت 7.5mΩ دی، چینل N-چینل دی، او کڅوړه DFN5X6-8 ده.

د WINSOK MOSFET غوښتنلیک ساحې

برېښنايي سګريټ MOSFET، د بې سیم چارج MOSFET، موټرو MOSFET، ډرون MOSFET، طبي پاملرنې MOSFET، د موټر چارجر MOSFET، کنټرولر MOSFET، ډیجیټل محصولات MOSFET، د کور کوچني وسایل MOSFET، د مصرف کونکي بریښنایی MOSFET.

WINSOK MOSFET د نورو برانډ موادو شمیرو سره مطابقت لري

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS سیمیکمډکټر MOSFET PDC696X.

د MOSFET پیرامیټونه

سمبول

پیرامیټر

درجه بندي

واحد
عام درجه بندي      

VDSS

د وچولو سرچینې ولتاژ  

60

V

VGSS

د دروازې سرچینې ولټاژ  

±20

V

TJ

د جنکشن اعظمي حرارت  

۱۵۰

°C

TSTG د ذخیره کولو د حرارت درجه  

-55 تر 150 پورې

°C

IS

ډایډ پرله پسې روان روان Tc= 25 درجې سانتي ګراد

30

A

ID

د اوبو دوامداره جریان Tc= 25 درجې سانتي ګراد

65

A

Tc= ۷۰ درجې سانتي ګراد

42

زه DM ب

د نبض د وچولو اوسنی ازموینه Tc= 25 درجې سانتي ګراد

۲۵۰

A

PD

د بریښنا اعظمي ضایع کول Tc= 25 درجې سانتي ګراد

62.5

W

TC= ۷۰ درجې سانتي ګراد

38

RqJL

د تودوخې مقاومت - لیډ ته جنکشن ثابت حالت

2.1

°C/W

RqJA

د تودوخې مقاومت - محیط ته جنکشن t £ 10s

45

°C/W
ثابت حالتb 

50

زه AS d

د واورې اوسنۍ، واحد نبض L=0.5mH

18

A

ای ایس د

د واورې انرژی، واحد نبض L=0.5mH

81

mJ

 

سمبول

پیرامیټر

د ازموینې شرایط من ټایپ. Max. واحد
جامد ځانګړتیاوې          

BVDSS

د وچولو سرچینې ماتول ولتاژ VGS=0V، IDS= 250mA

60

-

-

V

IDSS د صفر ګېټ ولتاژ ډرین کرنټ VDS= 48V، VGS= 0V

-

-

1

mA
         
      TJ= 85 درجې سانتي ګراد

-

-

30

 

VGS(th)

د دروازې حد ولټاژ VDS=VGS، زهDS= 250mA

1.2

1.5

2.5

V

IGSS

د دروازې لیکی روان VGS= ±20V، VDS= 0V

-

-

±100 nA

R DS(ON) 3

د وچولو سرچینه په دولت کې مقاومت VGS= 10V، IDS=20A

-

7.5

10

m W
VGS= 4.5V، IDS= 15 الف

-

10

15

د ډایډ ځانګړتیاوې          
V SD ډایډ فارورډ ولټاژ ISD= 1A، VGS= 0V

-

0.75

1.2

V

trr

د بیرته راګرځیدو وخت

ISD=20A، dlSD /dt=100A/µs

-

42

-

ns

Qrr

د بیرته راګرځولو چارج بیرته راګرځول

-

36

-

nC
متحرک ځانګړتیاوې3,4          

RG

د دروازې مقاومت VGS=0V،VDS=0V,F=1MHz

-

1.5

-

W

Ciss

د ننوتلو ظرفیت VGS= 0V

VDS= 30V

F=1.0MHz Ω

-

۱۳۴۰ ل

-

pF

Coss

د تولید ظرفیت

-

۲۷۰

-

Cآر ایس ایس

د ریورس لیږد ظرفیت

-

40

-

td(ON) د پیل کولو ځنډ وخت VDD=30V، IDS=1A,

VGEN=10V, RG=6Ω.

-

15

-

ns

tr

د راښکته کیدو وخت

-

6

-

td(بند) د ځنډ وخت بندول

-

33

-

tf

د زوال وخت بندول

-

30

-

د دروازې چارج ځانګړتیاوې 3,4          

Qg

د ټولې دروازې چارج VDS= 30V

VGS= 4.5V، IDS=20A

-

13

-

nC

Qg

د ټولې دروازې چارج VDS= 30V، VGS= 10V

IDS=20A

-

27

-

Qgth

د تختې دروازې چارج

-

4.1

-

Qgs

د دروازې سرچینې چارج

-

5

-

Qgd

د ګیټ ډرین چارج

-

4.2

-


  • مخکینی:
  • بل:

  • خپل پیغام دلته ولیکئ او موږ ته یې واستوئ