WSD4098 ډبل N-چینل 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

محصولات

WSD4098 ډبل N-چینل 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

لنډ تفصیل:

دا یو مقناطیسي بې سیم بریښنا بانک دی چې په اتوماتيک ډول د ایپل تلیفونونه پیژني او د بټن فعالولو ته اړتیا نلري. دا د 2.0/QC3.0/PA2.0/PD3.0/SCP/AFC ان پټ او د ګړندي چارج کولو پروتوکولونه تولیدوي. دا د بې سیم بریښنا بانک محصول دی چې د ایپل / سامسنګ ګرځنده تلیفون سنکرونس بوسټ / سټیپ-ډاون کنورټرونو ، د لی بیټرۍ چارج کولو مدیریت ، ډیجیټل ټیوب بریښنا نښې ، مقناطیسي بې سیم چارج کولو او نورو دندو سره مطابقت لري.


  • د ماډل شمیره:WSD4098
  • BVDSS:40V
  • RDSON:7.8mΩ
  • پېژندنه:22A
  • چینل:دوه ګونی این چینل
  • بسته:DFN5*6-8
  • د محصول لنډیز:د WSD4098 MOSFET ولتاژ 40V دی، اوسنی is22A دی، مقاومت یې 7.8mΩ دی، چینل دوه ګونی N-چینل دی، او بسته DFN5*6-8 ده.
  • غوښتنلیکونه:برېښنايي سګريټ، بې سیم چارج کول، موټرې، بې پیلوټه الوتکې، طبي پاملرنې، د موټر چارجرونه، کنټرولرونه، ډیجیټل محصولات، د کور کوچني وسایل، د مصرف کونکي بریښنایی توکي.
  • د محصول تفصیل

    غوښتنلیک

    د محصول ټګ

    عمومي توضیحات

    WSD4098DN56 ترټولو لوړ فعالیت خندق Dual N-Ch MOSFET د خورا لوړ حجرو کثافت سره ، کوم چې د ډیری همغږي بکس کنورټر غوښتنلیکونو لپاره عالي RDSON او د دروازې چارج چمتو کوي. WSD4098DN56 د RoHS او شنه محصول اړتیا پوره کوي 100٪ EAS د بشپړ فعالیت اعتبار تایید سره تضمین شوی.

    ځانګړتیاوې

    پرمختللي لوړ سیل کثافت خندق ټیکنالوژي، د عالي ټیټ ګیټ چارج، د غوره CdV/dt اغیز کمیدل، 100٪ EAS تضمین، شنه وسیله شتون لري

    غوښتنلیکونه

    د لوړ فریکونسی پوائنټ آف لوډ سنکرونس، د MB/NB/UMPC/VGA لپاره د بکس کنورټر، د شبکې DC-DC بریښنا سیسټم، لوډ سویچ، ای-سګریټ، بې سیم چارج، موټرو، ډرون، طبي پاملرنې، د موټر چارجر، کنټرولر، ډیجیټل محصولات، د کور کوچني وسایل، د مصرف کونکي بریښنایی توکي.

    د اړونده موادو شمیره

    AOS AON6884

    مهم پارامترونه

    سمبول پیرامیټر   درجه بندي واحد
    عام درجه بندي      
    VDSS د وچولو سرچینې ولتاژ   40 V
    VGSS د دروازې سرچینې ولتاژ   ±20 V
    TJ د جنکشن اعظمي حرارت   ۱۵۰ °C
    TSTG د ذخیره کولو د حرارت درجه   -55 تر 150 پورې °C
    IS ډایډ پرله پسې روان روان TA=25°C 11.4 A
    ID د اوبو دوامداره جریان TA=25°C 22 A
       
        TA=70°C 22  
    زه DM ب د نبض د وچولو اوسنی ازموینه TA=25°C 88 A
    PD د بریښنا اعظمي ضایع کول T. = 25 درجې سانتي ګراد 25 W
    TC=70°C 10
    RqJL د تودوخې مقاومت - لیډ ته جنکشن ثابت حالت 5 °C/W
    د ‏‎RqJA د تودوخې مقاومت - محیط ته جنکشن t £ 10s 45 °C/W
    ثابت حالت ب 90
    زه AS د د واورې اوسنۍ، واحد نبض L=0.5mH 28 A
    ای ایس د د واورې انرژی، واحد نبض L=0.5mH 39.2 mJ
    سمبول پیرامیټر د ازموینې شرایط من ټایپ. مکس واحد
    جامد ځانګړتیاوې          
    BVDSS د وچولو سرچینې ماتول ولتاژ VGS=0V، IDS=250mA 40 - - V
    IDSS د صفر ګېټ ولتاژ ډرین کرنټ VDS=32V، VGS=0V - - 1 mA
             
          TJ=85°C - - 30  
    VGS(th) د دروازې حد ولټاژ VDS=VGS، IDS=250mA 1.2 1.8 2.5 V
    IGSS د دروازې لیکی روان VGS=±20V، VDS=0V - - ±100 nA
    R DS(ON) e د وچولو سرچینه په دولت کې مقاومت VGS=10V، IDS=14A - 6.8 7.8 m W
    VGS=4.5V، IDS=12 A - 9.0 11
    د ډایډ ځانګړتیاوې          
    V SD e ډایډ فارورډ ولټاژ ISD=1A، VGS=0V - 0.75 ۱.۱ V
    trr د بیرته راګرځیدو وخت ISD=20A، dlSD/dt=100A/µs - 23 - ns
    Qrr د بیرته راګرځولو چارج بیرته راګرځول - 13 - nC
    متحرک ځانګړتیاوې f          
    RG د دروازې مقاومت VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz - 2.5 - W
    Ciss د ننوتلو ظرفیت VGS=0V

    VDS = 20V

    فریکونسی = 1.0MHz

    - ۱۳۷۰ ل ۱۷۸۱ ز pF
    Coss د تولید ظرفیت - ۳۱۷ -
    Crss د ریورس لیږد ظرفیت - 96 -
    td(ON) د پیل کولو ځنډ وخت VDD = 20V،

    RL=20W, IDS=1A,

    VGEN=10V، RG=6W

    - 13.8 - ns
    tr د راښکته کیدو وخت - 8 -
    td(بند) د ځنډ وخت بندول - 30 -
    tf د زوال وخت بندول - 21 -
    د دروازې چارج ځانګړتیاوې f          
    Qg د ټولې دروازې چارج VDS=20V، VGS=10V، IDS=6A - 23 28 nC
    Qg د ټولې دروازې چارج VDS=20V، VGS=4.5V، IDS=6A - 22 -
    Qgth د تختې دروازې چارج - 2.6 -
    Qgs د دروازې سرچینې چارج - 4.7 -
    Qgd د ګیټ ډرین چارج - 3 -

  • مخکینی:
  • بل:

  • خپل پیغام دلته ولیکئ او موږ ته یې واستوئ