WSD3023DN56 N-Ch او P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

لنډ تفصیل:

د ماډل شمیره:WSD3023DN56

BVDSS:30V/-30V

RDSON:14mΩ/23mΩ

پېژندنه:14A/-12A

چینل:N-Ch او P-چینل

بسته:DFN5*6-8

د محصول لنډیز:د WSD3023DN56 MOSFET ولتاژ 30V/-30V دی، اوسنی is14A/-12A، مقاومت یې 14mΩ/23mΩ دی، چینل یې N-Ch او P-Channel دی، او بسته یې DFN5*6-8 ده.

غوښتنلیکونه:بې پیلوټه الوتکې، موټرې، اتومات الکترونیک، لوی وسایل.

تفتیش واستوئ PDF

د محصول تفصیل

غوښتنلیک

د محصول ټګ

عمومي توضیحات

WSD3023DN56 ترټولو لوړ فعالیت خندق N-ch او P-ch MOSFETs د خورا لوړ حجرو کثافت سره ، کوم چې د ډیری ترکیب بکس کنورټر غوښتنلیکونو لپاره عالي RDSON او د دروازې چارج چمتو کوي. WSD3023DN56 د RoHS او شنه محصول اړتیا پوره کوي 100٪ EAS د بشپړ فعالیت اعتبار تایید سره تضمین شوی.

ځانګړتیاوې

پرمختللي لوړ سیل کثافت خندق ټیکنالوژي، د عالي ټیټ ګیټ چارج، غوره CdV/dt اغیز کمول، 100٪ EAS تضمین شوی، شنه وسیله شتون لري.

غوښتنلیکونه

د MB/NB/UMPC/VGA، شبکې DC-DC بریښنا سیسټم، CCFL شاته رڼا انورټر، ډرونز، موټرو، د موټرو الکترونیکونه، لوی وسایلو لپاره د لوړ فریکونسۍ پوائنټ-اف-لوډ سنکرونس بکس کنورټر.

د اړونده موادو شمیره

پنجیت PJQ5606

مهم پارامترونه

سمبول	پیرامیټر	درجه بندي		واحدونه
سمبول	پیرامیټر	N-Ch	P-Ch	واحدونه
VDS	د وچولو سرچینې ولتاژ	30	-۳۰	V
VGS	د دروازې سرچینې ولټاژ	±20	±20	V
ID	د اوبو دوامداره جریان، VGS(NP)=10V،Ta=25℃	۱۴*	-۱۲	A
ID	د اوبو دوامداره جریان، VGS(NP)=10V،Ta=70℃	7.6	-9.7	A
IDP a	د نبض د وچولو اوسنی ازموینه شوی، VGS(NP) = 10V	48	-۴۸	A
EAS ج	د واورې انرژی، واحد نبض، L=0.5mH	20	20	mJ
IAS ج	د واورې اوسنۍ، واحد نبض، L=0.5mH	9	-9	A
PD	د بریښنا ټوله ضایع، Ta = 25℃	۵.۲۵	۵.۲۵	W
TSTG	د ذخیره کولو د حرارت درجه	-55 تر 175 پورې	-55 تر 175 پورې	℃
TJ	عملیاتي جنکشن د حرارت درجه	۱۷۵	۱۷۵	℃
RqJA ب	د تودوخې مقاومت - محیط ته جنکشن، ثابت حالت	60	60	℃/W
RqJC	د تودوخې مقاومت - قضیې ته جنکشن، ثابت حالت	6.25	6.25	℃/W

سمبول	پیرامیټر	شرایط	من	ټایپ.	Max.	واحد
BVDSS	د وچولو سرچینې ماتول ولتاژ	VGS=0V، ID=250uA	30	---	---	V
RDS(ON)d	جامد ډرین - سرچینه آن مقاومت	VGS=10V، ID=8A	---	14	18.5	mΩ
RDS(ON)d	جامد ډرین - سرچینه آن مقاومت	VGS=4.5V، ID=5A	---	17	25	mΩ
VGS(th)	د دروازې حد ولټاژ	VGS=VDS، ID = 250uA	1.3	1.8	2.3	V
IDSS	د وچولو سرچینه لیکج اوسنی	VDS=20V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	د وچولو سرچینه لیکج اوسنی	VDS=20V , VGS=0V , TJ=85℃	---	---	30	uA
IGSS	د ګیټ سرچینه لیکیج اوسنی	VGS=±20V، VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	د دروازې مقاومت	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.7	3.4	Ω
Qge	د ټولې دروازې چارج	VDS=15V، VGS=4.5V، IDS=8A	---	5.2	---	nC
Qgse	د دروازې سرچینې چارج		---	۱.۰	---
Qgde	د ګیټ ډرین چارج		---	2.8	---
Td(on)e	د ځنډولو وخت	VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R.	---	6	---	ns
Tre	د پاڅیدو وخت		---	۸.۶	---
Td(بند) e	د ځنډ وخت بندول		---	16	---
Tfe	د زوال وخت		---	3.6	---
سیس	د ننوتلو ظرفیت	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	۵۴۵	---	pF
کوس	د تولید ظرفیت		---	95	---
Crsse	د ریورس لیږد ظرفیت		---	55	---