• فیسبوک
  • لینکډین
  • ټویټر
  • یوټیوب
  • انسټاګرام
Email:business@olukey.com
English
WSD20L120DN56 P-چینل -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

محصولات

WSD20L120DN56 P-چینل -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

WSD20L120DN56 P-چینل -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET ځانګړی انځور
  • WSD20L120DN56 P-چینل -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

لنډ معلومات:


  • د ماډل شمیره:WSD20L120DN56
  • BVDSS:-20V
  • RDSON:2.1mΩ
  • پېژندنه:-120A
  • چینل:پی چینل
  • بسته:DFN5*6-8
  • د محصول لنډیز:MOSFET WSD20L120DN56 په -20 وولټ کې کار کوي او د -120 amps جریان راوباسي.دا د 2.1 milliohms مقاومت لري، یو P-چینل، او په DFN5*6-8 بسته کې راځي.
  • غوښتنلیکونه:برېښنايي سګرټ، بې سیم چارجرونه، موټرې، بې پیلوټه الوتکې، طبي تجهیزات، د موټر چارجرونه، کنټرولرونه، ډیجیټل وسایل، کوچني وسایل، او د مصرف کونکي بریښنایی توکي.
    • PDF

    د محصول تفصیل

    غوښتنلیک

    د محصول ټګ

    عمومي توضیحات

    WSD20L120DN56 د لوړ کثافت سیل جوړښت سره لوړ فعالیت کوونکی P-Ch MOSFET دی، د ډیری همغږي بکس کنورټر کارولو لپاره عالي RDSON او د دروازې چارج ورکوي.WSD20L120DN56 د بشپړ فعالیت اعتبار تصویب سره د RoHS او چاپیریال دوستانه محصولاتو لپاره 100٪ EAS اړتیاوې پوره کوي.

    برخی

    1، پرمختللي لوړ حجرو کثافت خندق ټیکنالوژي
    2، د سوپر ټیټ ګیټ چارج
    3، د ښه CdV/dt اغیز کمیدل
    4، 100٪ EAS تضمین شوی 5، شنه وسیله شتون لري

    غوښتنلیکونه

    د MB/NB/UMPC/VGA لپاره د لوړ فریکونسۍ پوائنټ-اف-لوډ سنکرونس بکس کنورټر، د شبکې DC-DC بریښنا سیسټم، لوډ سویچ، ای سګرټ، بې سیم چارجر، موټرې، ډرون، طبي، د موټر چارجر، کنټرولر، ډیجیټل محصولات، د کور کوچني وسایل، د مصرف کونکي بریښنایی توکي.

    د اړونده موادو شمیره

    AOS AON6411، NIKO PK5A7BA

    مهم پارامترونه

    سمبول پیرامیټر درجه بندي واحدونه
    10s ثابت حالت
    VDS د وچولو سرچینې ولتاژ -20 V
    VGS د دروازې سرچینې ولټاژ ±10 V
    ID@TC=25℃ پرله پسې ډنډ اوسني، VGS @ -10V1 -۱۲۰ A
    ID@TC=100℃ پرله پسې ډنډ اوسني، VGS @ -10V1 -69.5 A
    ID@TA=25℃ پرله پسې ډنډ اوسني، VGS @ -10V1 -25 -۲۲ A
    ID@TA=70℃ پرله پسې ډنډ اوسني، VGS @ -10V1 -۲۴ -۱۸ A
    IDM نبض شوی د اوبو جریان 2 -۳۴۰ A
    EAS د واحد نبض د واورې انرژی 3 ۳۰۰ mJ
    IAS د واورې د توپان اوسنۍ -۳۶ A
    PD@TC=25℃ د بریښنا ټول ضایع کول 4 ۱۳۰ W
    PD@TA=25℃ د بریښنا ټول ضایع کول 4 6.8 6.25 W
    TSTG د ذخیره کولو د حرارت درجه -55 تر 150 پورې ℃
    TJ عملیاتي جنکشن د حرارت درجه -55 تر 150 پورې ℃
    سمبول پیرامیټر شرایط من ټایپ. Max. واحد
    BVDSS د وچولو سرچینې ماتول ولتاژ VGS=0V , ID=-250uA -20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS د تودوخې کوفینټ 25℃ ته مراجعه، ID=-1mA --- -0.0212 --- V/℃
    RDS (آن) جامد ډرین - سرچینه آن مقاومت2 VGS=-4.5V، ID=-20A --- 2.1 2.7 mΩ
           
        VGS=-2.5V، ID=-20A --- 2.8 3.7  
    VGS(th) د دروازې حد ولټاژ VGS=VDS، ID =-250uA -0.4 -0.6 -1.0 V
               
    △VGS(th) VGS (th) د تودوخې کوفینټ   --- ۴.۸ --- mV/℃
    IDSS د وچولو سرچینه لیکج اوسنی VDS=-20V , VGS=0V , TJ = 25℃ --- --- -1 uA
           
        VDS=-20V , VGS=0V , TJ=55℃ --- --- -6  
    IGSS د ګیټ سرچینه لیکیج اوسنی VGS=±20V، VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs د لیږد لیږد VDS=-5V، ID=-20A --- 100 --- S
    Rg د دروازې مقاومت VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- 2 5 Ω
    Qg د دروازې ټول چارج (-4.5V) VDS=-10V , VGS=-4.5V , ID=-20A --- 100 --- nC
    Qgs د دروازې سرچینې چارج --- 21 ---
    Qgd د ګیټ ډرین چارج --- 32 ---
    Td(په) د ځنډولو وخت VDD=-10V , VGEN=-4.5V ,

    RG=3Ω ID=-1A ,RL=0.5Ω

    		 --- 20 --- ns
    Tr د پاڅیدو وخت --- 50 ---
    Td(بند) د ځنډ وخت بندول --- 100 ---
    Tf د زوال وخت --- 40 ---
    Ciss د ننوتلو ظرفیت VDS=-10V , VGS=0V , f=1MHz --- ۴۹۵۰ --- pF
    Coss د تولید ظرفیت --- ۳۸۰ ---
    Crss د ریورس لیږد ظرفیت --- ۲۹۰ ---
  • مخکینی:
  • بل:
    • خپل پیغام دلته ولیکئ او موږ ته یې واستوئ

    محصولکټګورۍ

    د لټون لپاره انټر یا د تړلو لپاره ESC ټک وکړئ